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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMC86324
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMC86324 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMC86324
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMC86324
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 80V 7A/20A POWER33
Description détaillée
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
FDMC86324.pdf
État RoHS
En stock: 61960

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMC86324
onsemi - FDMC86324 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMC86324

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Power33  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.3W (Ta), 41W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 965 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta), 20A (Tc)  
Numéro de produit de base FDMC86  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMC86324

Attributs du produit FDMC86324 FDMC86265P FDMC86320 FDMC86261P
Modèle de produit FDMC86324 FDMC86265P FDMC86320 FDMC86261P
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V 4 nC @ 10 V 41 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 965 pF @ 50 V 210 pF @ 75 V 2640 pF @ 40 V 1360 pF @ 75 V
Numéro de produit de base FDMC86 FDMC86265 FDMC86 FDMC86261
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta), 20A (Tc) 1A (Ta), 1.8A (Tc) 10.7A (Ta), 22A (Tc) 2.7A (Ta), 9A (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 80 V 150 V 80 V 150 V
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±25V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V 1.2Ohm @ 1A, 10V 11.7mOhm @ 10.7A, 10V 160mOhm @ 2.4A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 6V, 10V 8V, 10V 6V, 10V
Dissipation de puissance (max) 2.3W (Ta), 41W (Tc) 2.3W (Ta), 16W (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc) 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Package composant fournisseur Power33 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3)

Fiche technique FDMC86324 PDF

Téléchargez FDMC86324 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMC86324 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Feuilles de données
FDMC86324.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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