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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMC86160ET100
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMC86160ET100 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMC86160ET100
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMC86160ET100
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 9A/43A POWER33
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
FDMC86160ET100.pdf
État RoHS
En stock: 28594

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMC86160ET100
onsemi - FDMC86160ET100 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMC86160ET100

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Power33  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 65W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1290 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta), 43A (Tc)  
Numéro de produit de base FDMC86160  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMC86160ET100

Attributs du produit FDMC86160ET100 FDMC86102LZ FDMC86116LZ FDMC8622
Modèle de produit FDMC86160ET100 FDMC86102LZ FDMC86116LZ FDMC8622
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Numéro de produit de base FDMC86160 FDMC86102 FDMC86116 FDMC86
Package composant fournisseur Power33 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3) 8-MLP (3.3x3.3)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta), 43A (Tc) 7A (Ta), 18A (Tc) 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) 4A (Ta), 16A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1290 pF @ 50 V 1290 pF @ 50 V 310 pF @ 50 V 402 pF @ 50 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9A, 10V 24mOhm @ 6.5A, 10V 103mOhm @ 3.3A, 10V 56mOhm @ 4A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 22 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 7.3 nC @ 10 V
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 65W (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) 2.3W (Ta), 19W (Tc) 2.5W (Ta), 31W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Tension drain-source (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique FDMC86160ET100 PDF

Téléchargez FDMC86160ET100 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMC86160ET100 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly 11/Mar/2020.pdf
Feuilles de données
FDMC86160ET100.pdf

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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