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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMC8010ET30
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMC8010ET30 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMC8010ET30
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMC8010ET30
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 30A/174A POWER33
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
FDMC8010ET30.pdf
État RoHS
En stock: 4240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMC8010ET30
onsemi - FDMC8010ET30 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMC8010ET30

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Power33  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 30A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 65W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5860 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Ta), 174A (Tc)  
Numéro de produit de base FDMC8010  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMC8010ET30

Attributs du produit FDMC8010ET30 FDMC8010 FDMC8026S FDMC8010DC
Modèle de produit FDMC8010ET30 FDMC8010 FDMC8026S FDMC8010DC
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5860 pF @ 15 V 5860 pF @ 15 V 3165 pF @ 15 V 7080 pF @ 15 V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®, SyncFET™ -
Fonction FET - - - Standard
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Package / Boîte 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 94 nC @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.3mOhm @ 30A, 10V 1.3mOhm @ 30A, 10V 4.4mOhm @ 19A, 10V 1.28mOhm @ 37A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 30A (Ta), 174A (Tc) 30A (Ta), 75A (Tc) 19A (Ta), 21A (Tc) 37A (Ta)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur Power33 Power33 8-MLP (3.3x3.3) 8-PQFN (3.3x3.3)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2.5V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 2.8W (Ta), 65W (Tc) 2.4W (Ta), 54W (Tc) 2.4W (Ta), 36W (Tc) 3W (Ta)
Numéro de produit de base FDMC8010 FDMC80 FDMC8026 FDMC8010
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique FDMC8010ET30 PDF

Téléchargez FDMC8010ET30 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMC8010ET30 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly 11/Mar/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 8/Apr/2021.pdf
Feuilles de données
FDMC8010ET30.pdf

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Amérique États-Unis 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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