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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMC7572S
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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FDMC7572S - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMC7572S
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMC7572S
Modèle ECAD
Description des pièces
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Emballage
8-PowerTDFN
Fiche technique
FDMC7572S.pdf
Notre certification
En stock: 26015

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques FDMC7572S
onsemi - FDMC7572S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMC7572S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Power33  
Séries PowerTrench®, SyncFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.15mOhm @ 22.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.3W (Ta), 52W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerTDFN  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2705 pF @ 13 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 25 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22.5A (Ta), 40A (Tc)  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMC7572S

Attributs du produit FDMC7572S FDMC7570S FDMC7660S FDMC7582
Modèle de produit FDMC7572S FDMC7570S FDMC7660S FDMC7582
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 2.5V @ 1mA 2.5V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®, SyncFET™ PowerTrench®
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 25 V 25 V 30 V 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 2.3W (Ta), 52W (Tc) 2.3W (Ta), 59W (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) 2.3W (Ta), 52W (Tc)
Package composant fournisseur Power33 Power33 Power33 Power33
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 66 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2705 pF @ 13 V 4410 pF @ 13 V 4325 pF @ 15 V 1795 pF @ 13 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.15mOhm @ 22.5A, 10V 2mOhm @ 27A, 10V 2.2mOhm @ 20A, 10V 5mOhm @ 16.7A, 10V
Package / Boîte 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22.5A (Ta), 40A (Tc) 27A (Ta), 40A (Tc) 20A (Ta), 40A (Tc) 16.7A (Ta), 49A (Tc)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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