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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMC6686P
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMC6686P - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMC6686P
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMC6686P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 18A/56A 8PQFN
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
FDMC6686P.pdf
État RoHS
En stock: 5390

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMC6686P
onsemi - FDMC6686P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMC6686P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PQFN (3.3x3.3), Power33  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 18A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2.3W (Ta), 40W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13200 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 122 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta), 56A (Tc)  
Numéro de produit de base FDMC6686  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMC6686P

Attributs du produit FDMC6686P FDMC6688P FDMC6679AZ FDMC6696P
Modèle de produit FDMC6686P FDMC6688P FDMC6679AZ FDMC6696P
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Package / Boîte 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN 8-PowerWDFN -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V -
Dissipation de puissance (max) 2.3W (Ta), 40W (Tc) 2.3W (Ta), 30W (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) -
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base FDMC6686 FDMC6688 FDMC6679 -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Vgs (Max) ±8V ±8V ±25V -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Package composant fournisseur 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 8-MLP (3.3x3.3) -
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® *
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13200 pF @ 10 V 7435 pF @ 10 V 3970 pF @ 15 V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 122 nC @ 4.5 V 61 nC @ 4.5 V 91 nC @ 10 V -
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 18A, 4.5V 6.5mOhm @ 14A, 4.5V 10mOhm @ 11.5A, 10V -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta), 56A (Tc) 14A (Ta), 56A (Tc) 11.5A (Ta), 20A (Tc) -

Fiche technique FDMC6686P PDF

Téléchargez FDMC6686P PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMC6686P - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 01/Oct/2021.pdf
Feuilles de données
FDMC6686P.pdf
Assemblage / origine PCN
FDMC668xP 08/Mar/2023.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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