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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDMA910PZ
FDMA910PZ Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDMA910PZ - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDMA910PZ
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDMA910PZ
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 9.4A 6MICROFET
Description détaillée
Emballage
6-WDFN Exposed Pad
Fiche technique
FDMA910PZ.pdf
État RoHS
En stock: 102490

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDMA910PZ
onsemi - FDMA910PZ Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDMA910PZ

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-MicroFET (2x2)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9.4A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta)  
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2805 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.4A (Ta)  
Numéro de produit de base FDMA910  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDMA910PZ

Attributs du produit FDMA910PZ FDMA910PZ FDMA8884 FDMA8884
Modèle de produit FDMA910PZ FDMA910PZ FDMA8884 FDMA8884
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V 29 nC @ 4.5 V 7.5 nC @ 10 V 7.5 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±8V ±8V ±20V ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Dissipation de puissance (max) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 1.9W (Ta) 1.9W (Ta)
Numéro de produit de base FDMA910 - - FDMA88
Package composant fournisseur 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2)
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2805 pF @ 10 V 2805 pF @ 10 V 450 pF @ 15 V 450 pF @ 15 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9.4A, 4.5V 20mOhm @ 9.4A, 4.5V 23mOhm @ 6.5A, 10V 23mOhm @ 6.5A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.4A (Ta) 9.4A (Ta) 6.5A (Ta), 8A (Tc) 6.5A (Ta), 8A (Tc)
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 30 V 30 V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA

Fiche technique FDMA910PZ PDF

Téléchargez FDMA910PZ PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDMA910PZ - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Marking Content 19/Nov/2013.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Feuilles de données
FDMA910PZ.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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