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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDM606P
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDM606P - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDM606P
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDM606P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Fiche technique
FDM606P.pdf
En stock: 3970

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDM606P
onsemi - FDM606P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDM606P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-MLP, MicroFET (3x2)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.8A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.92W (Ta)  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.8A (Tc)  
Numéro de produit de base FDM606  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDM606P

Attributs du produit FDM606P FDM6296 FDM3622 FDMA0104
Modèle de produit FDM606P FDM6296 FDM3622 FDMA0104
Fabricant onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 6V, 10V -
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 100 V 20 V
Vgs (Max) ±8V ±20V ±20V -
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad 8-PowerVDFN 8-PowerWDFN 6-WDFN Exposed Pad
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 1.92W (Ta) 2.1W (Ta) 2.1W (Ta) 1.9W (Ta)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 4V @ 250µA 1V @ 250µA
Numéro de produit de base FDM606 FDM629 FDM362 FDMA01
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 10 V 2005 pF @ 15 V 1090 pF @ 25 V 1680 pF @ 10 V
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur 8-MLP, MicroFET (3x2) 8-Power33 (3x3) 8-MLP (3.3x3.3) 6-MicroFET (2x2)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.8A, 4.5V 10.5mOhm @ 11.5A, 10V 60mOhm @ 4.4A, 10V 14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V 17 nC @ 5 V 17 nC @ 10 V 17.5 nC @ 4.5 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.8A (Tc) 11.5A (Ta) 4.4A (Ta) 9.4A (Ta)

Fiche technique FDM606P PDF

Téléchargez FDM606P PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDM606P - onsemi.

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Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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