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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDD86580-F085
FDD86580-F085 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDD86580-F085 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDD86580-F085
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDD86580-F085
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
FDD86580_F085.pdf
État RoHS
En stock: 81630

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDD86580-F085
onsemi - FDD86580-F085 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDD86580-F085

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 75W (Tj)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc)  
Numéro de produit de base FDD86580  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDD86580-F085

Attributs du produit FDD86580-F085 FDD86581-F085 FDD8770 FDD86567-F085
Modèle de produit FDD86580-F085 FDD86581-F085 FDD8770 FDD86567-F085
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 73 nC @ 10 V 82 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 50A (Tc) 25A (Tc) 35A (Tc) 100A (Tc)
Numéro de produit de base FDD86580 FDD86581 FDD877 FDD86567
Dissipation de puissance (max) 75W (Tj) 48.4W (Tj) 115W (Tc) 227W (Tj)
Séries Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® - PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Vgs (th) (Max) @ Id 4.2V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4V @ 250µA
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1430 pF @ 30 V 880 pF @ 30 V 3720 pF @ 13 V 4950 pF @ 30 V
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 25 V 60 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Package composant fournisseur TO-252AA D-PAK (TO-252) TO-252AA TO-252AA
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Fonction FET - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 50A, 10V 15mOhm @ 25A, 10V 4mOhm @ 35A, 10V 3.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique FDD86580-F085 PDF

Téléchargez FDD86580-F085 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDD86580-F085 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Numéro de pièce PCN
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev A/T 18/Aug/2021.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Mar/2023.pdf
Feuilles de données
FDD86580_F085.pdf

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Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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