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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDD120AN15A0
FDD120AN15A0 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDD120AN15A0 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDD120AN15A0
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDD120AN15A0
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
FDD120AN15A0.pdf
État RoHS
En stock: 119430

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDD120AN15A0
onsemi - FDD120AN15A0 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDD120AN15A0

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 65W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 150 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.8A (Ta), 14A (Tc)  
Numéro de produit de base FDD120  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDD120AN15A0

Attributs du produit FDD120AN15A0 FDD120AN15A0 FDD120AN15A0-F085 FDD13AN06A0
Modèle de produit FDD120AN15A0 FDD120AN15A0 FDD120AN15A0-F085 FDD13AN06A0
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 4A, 10V 120mOhm @ 4A, 10V 120mOhm @ 4A, 10V 13.5mOhm @ 50A, 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.8A (Ta), 14A (Tc) 2.8A (Ta), 14A (Tc) 14A (Tc) 9.9A (Ta), 50A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 150 V 150 V 150 V 60 V
Numéro de produit de base FDD120 - FDD120 FDD13AN06
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252AA
Dissipation de puissance (max) 65W (Tc) 65W (Tc) 65W (Tc) 115W (Tc)
Séries PowerTrench® PowerTrench® Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14.5 nC @ 10 V 14.5 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 6V, 10V 10V 6V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 770 pF @ 25 V 770 pF @ 25 V 743 pF @ 25 V 1350 pF @ 25 V

Fiche technique FDD120AN15A0 PDF

Téléchargez FDD120AN15A0 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDD120AN15A0 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Description Chg 01/Apr/2016.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Change 28/May/2023.pdf
Feuilles de données
FDD120AN15A0.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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