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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDD068AN03L
FDD068AN03L Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDD068AN03L - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDD068AN03L
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDD068AN03L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 17A/35A TO252AA
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
FDD068AN03L, FDU068AN03L.pdf
En stock: 5250

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Spécifications

Spécifications techniques FDD068AN03L
onsemi - FDD068AN03L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDD068AN03L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252AA  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 35A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2525 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Ta), 35A (Tc)  
Numéro de produit de base FDD068  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDD068AN03L

Attributs du produit FDD068AN03L FDD050N03B FDD050N03B FDD107AN06LA0
Modèle de produit FDD068AN03L FDD050N03B FDD050N03B FDD107AN06LA0
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 5V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 17A (Ta), 35A (Tc) 50A (Tc) 50A (Tc) 3.4A (Ta), 10.9A (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 43 nC @ 10 V 5.5 nC @ 5 V
Package composant fournisseur TO-252AA TO-252, (D-Pak) TO-252AA TO-252AA
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc) 65W (Tc) 65W (Tc) 25W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 60 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2525 pF @ 15 V 2875 pF @ 15 V 2875 pF @ 15 V 360 pF @ 25 V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base FDD068 - FDD050 FDD107
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±16V ±16V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 35A, 10V 5mOhm @ 25A, 10V 5mOhm @ 25A, 10V 91mOhm @ 10.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA

Fiche technique FDD068AN03L PDF

Téléchargez FDD068AN03L PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDD068AN03L - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
FDD068AN03L, FDU068AN03L.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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