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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDC8601
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDC8601 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDC8601
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDC8601
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT6
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
FDC8601.pdf
État RoHS
En stock: 61920

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDC8601
onsemi - FDC8601 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDC8601

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SuperSOT™-6  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 109mOhm @ 2.7A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.7A (Ta)  
Numéro de produit de base FDC8601  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDC8601

Attributs du produit FDC8601 FDC855N FDC855N FDC796N
Modèle de produit FDC8601 FDC855N FDC855N FDC796N
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 SuperSOT™-6 FLMP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.7A (Ta) 6.1A (Ta) 6.1A (Ta) 12.5A (Ta)
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 30 V 30 V 30 V
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 109mOhm @ 2.7A, 10V 27mOhm @ 6.1A, 10V 27mOhm @ 6.1A, 10V 9mOhm @ 12.5A, 10V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 50 V 655 pF @ 15 V 655 pF @ 15 V 1444 pF @ 15 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 2W (Ta)
Numéro de produit de base FDC8601 FDC855 - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 20 nC @ 5 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

Fiche technique FDC8601 PDF

Téléchargez FDC8601 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDC8601 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Board Layout Update 01/May/2015.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Binary Year Code Marking 15/Jan/2014.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly/Test Chg 30/Apr/2019.pdf
Feuilles de données
FDC8601.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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