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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDB6030L
FDB6030L Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDB6030L - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDB6030L
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDB6030L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 48A TO263AB
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
FDP6030L, FDB6030L.pdf
En stock: 5100

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDB6030L
onsemi - FDB6030L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDB6030L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 26A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 52W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 48A (Ta)  
Numéro de produit de base FDB603  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDB6030L

Attributs du produit FDB6030L FDB6030L FDB5800 FDB6030BL
Modèle de produit FDB6030L FDB6030L FDB5800 FDB6030BL
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 5 V 18 nC @ 5 V 135 nC @ 10 V 17 nC @ 5 V
Température de fonctionnement -65°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ)
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 60 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 26A, 10V 13mOhm @ 26A, 10V 6mOhm @ 80A, 10V 18mOhm @ 20A, 10V
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 48A (Ta) 48A (Ta) 14A (Ta), 80A (Tc) 40A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 15 V 1250 pF @ 15 V 6625 pF @ 15 V 1160 pF @ 15 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipation de puissance (max) 52W (Tc) 52W (Tc) 242W (Tc) 60W (Tc)
Numéro de produit de base FDB603 - FDB580 FDB603
Fonction FET - - - -

Fiche technique FDB6030L PDF

Téléchargez FDB6030L PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDB6030L - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 27/Feb/2012.pdf
Feuilles de données
FDP6030L, FDB6030L.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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