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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFDB1D7N10CL7
FDB1D7N10CL7 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FDB1D7N10CL7 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FDB1D7N10CL7
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FDB1D7N10CL7
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Fiche technique
FDB1D7N10CL7.pdf
État RoHS
En stock: 7190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FDB1D7N10CL7
onsemi - FDB1D7N10CL7 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FDB1D7N10CL7

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 700µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D2PAK (TO-263)  
Séries PowerTrench®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.65mOhm @ 100A, 15V  
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11600 pF @ 50 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 163 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 15V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 268A (Tc)  
Numéro de produit de base FDB1D7  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FDB1D7N10CL7

Attributs du produit FDB1D7N10CL7 FDB16AN08A0 FDB24AN06LA0 FDB150N10
Modèle de produit FDB1D7N10CL7 FDB16AN08A0 FDB24AN06LA0 FDB150N10
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc) 135W (Tc) 75W (Tc) 110W (Tc)
Package composant fournisseur D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.65mOhm @ 100A, 15V 16mOhm @ 58A, 10V 19mOhm @ 40A, 10V 15mOhm @ 49A, 10V
Package / Boîte TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 268A (Tc) 9A (Ta), 58A (Tc) 7.8A (Ta), 40A (Tc) 57A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Séries PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 700µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 6V, 15V 6V, 10V 5V, 10V 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11600 pF @ 50 V 1857 pF @ 25 V 1850 pF @ 25 V 4760 pF @ 25 V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Numéro de produit de base FDB1D7 - FDB24 -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 163 nC @ 10 V 42 nC @ 10 V 21 nC @ 5 V 69 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 100 V 75 V 60 V 100 V
Fonction FET - - - -

Fiche technique FDB1D7N10CL7 PDF

Téléchargez FDB1D7N10CL7 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FDB1D7N10CL7 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Change 09/May/2023.pdf
Feuilles de données
FDB1D7N10CL7.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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