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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCU2250N80Z
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCU2250N80Z - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCU2250N80Z
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCU2250N80Z
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Fiche technique
FCU2250N80Z.pdf
État RoHS
En stock: 3770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCU2250N80Z
onsemi - FCU2250N80Z Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCU2250N80Z

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 260µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur I-PAK  
Séries SuperFET® II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.25Ohm @ 1.3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 39W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 585 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.6A (Tc)  
Numéro de produit de base FCU2250  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCU2250N80Z

Attributs du produit FCU2250N80Z FCU2250N80Z FCU900N60Z FCUL1060-H-R33MP3
Modèle de produit FCU2250N80Z FCU2250N80Z FCU900N60Z FCUL1060-H-R33MP3
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Murata Power Solutions
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur I-PAK I-PAK I-PAK -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Séries SuperFET® II SuperFET® II SuperFET® II -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 260µA 4.5V @ 260µA 3.5V @ 250µA -
Dissipation de puissance (max) 39W (Tc) 39W (Tc) 52W (Tc) -
Emballer Tube Bulk Tube -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.6A (Tc) 2.6A (Tc) 4.5A (Tc) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Package / Boîte TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-251-3 Stub Leads, IPak -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 585 pF @ 100 V 585 pF @ 100 V 710 pF @ 25 V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.25Ohm @ 1.3A, 10V 2.25Ohm @ 1.3A, 10V 900mOhm @ 2.3A, 10V -
Numéro de produit de base FCU2250 - FCU900 -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tension drain-source (Vdss) 800 V 800 V 600 V -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -

Fiche technique FCU2250N80Z PDF

Téléchargez FCU2250N80Z PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCU2250N80Z - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 30/Jun/2022.pdf
Feuilles de données
FCU2250N80Z.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Site Transfer 28/Apr/2017.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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