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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCPF250N65S3R0L
FCPF250N65S3R0L Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCPF250N65S3R0L - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCPF250N65S3R0L
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCPF250N65S3R0L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FCPF250N65S3R0L.pdf
État RoHS
En stock: 4060

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCPF250N65S3R0L
onsemi - FCPF250N65S3R0L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCPF250N65S3R0L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.2mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F-3  
Séries SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 31W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base FCPF250  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCPF250N65S3R0L

Attributs du produit FCPF250N65S3R0L FCPF220N80 FCPF290N80 FCPF260N65FL1
Modèle de produit FCPF250N65S3R0L FCPF220N80 FCPF290N80 FCPF260N65FL1
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Tension drain-source (Vdss) 650 V 800 V 800 V 650 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.2mA 4.5V @ 2.3mA 4.5V @ 1.7mA 5V @ 1.5mA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 31W (Tc) 44W (Tc) 40W (Tc) 36W (Tc)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 23A (Tc) 17A (Tc) 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 6A, 10V 220mOhm @ 11.5A, 10V 290mOhm @ 8.5A, 10V 260mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Emballer Tube Tube Bulk Bulk
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries SuperFET® III SuperFET® II PowerTrench® FRFET®, SuperFET® II
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base FCPF250 FCPF220 FCPF290 -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 400 V 4560 pF @ 100 V 3205 pF @ 100 V 2340 pF @ 100 V
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Package composant fournisseur TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F TO-220F-3

Fiche technique FCPF250N65S3R0L PDF

Téléchargez FCPF250N65S3R0L PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCPF250N65S3R0L - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
Feuilles de données
FCPF250N65S3R0L.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev Assembly Chg 14/Feb/2020.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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