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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCPF125N65S3
FCPF125N65S3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCPF125N65S3 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCPF125N65S3
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCPF125N65S3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
FCPF125N65S3.pdf
État RoHS
En stock: 18123

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCPF125N65S3
onsemi - FCPF125N65S3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCPF125N65S3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.4mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220F  
Séries SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 38W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1790 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc)  
Numéro de produit de base FCPF125  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCPF125N65S3

Attributs du produit FCPF125N65S3 FCPF11N65 FCPF11N60NT FCPF11N60T
Modèle de produit FCPF125N65S3 FCPF11N65 FCPF11N60NT FCPF11N60T
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Emballer Tube Bulk Bulk Bulk
Tension drain-source (Vdss) 650 V 650 V 600 V 600 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1790 pF @ 400 V 1490 pF @ 25 V 1505 pF @ 100 V 1490 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V - ±30V ±30V
Dissipation de puissance (max) 38W (Tc) 36W (Tc) 32.1W (Tc) 36W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 35.6 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Séries SuperFET® III SuperFET™ SuperMOS™ SuperFET™
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - 10V 10V
Numéro de produit de base FCPF125 FCPF11 - FCPF11
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.4mA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 12A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 299mOhm @ 5.4A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 24A (Tc) 11A (Tc) 10.8A (Tc) 11A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Package composant fournisseur TO-220F TO-220F TO-220F-3 TO-220F

Fiche technique FCPF125N65S3 PDF

Téléchargez FCPF125N65S3 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCPF125N65S3 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
FCPF125N65S3.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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