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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCMT250N65S3
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCMT250N65S3 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCMT250N65S3
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCMT250N65S3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 12A POWER88
Description détaillée
Emballage
4-PowerTSFN
Fiche technique
FCMT250N65S3.pdf
État RoHS
En stock: 15079

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCMT250N65S3
onsemi - FCMT250N65S3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCMT250N65S3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.2mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur Power88  
Séries SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc)  
Package / Boîte 4-PowerTSFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)  
Numéro de produit de base FCMT250  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCMT250N65S3

Attributs du produit FCMT250N65S3 FCMT180N65S3 FCMT299N60 FCMT199N60
Modèle de produit FCMT250N65S3 FCMT180N65S3 FCMT299N60 FCMT199N60
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Tension drain-source (Vdss) 650 V 650 V 600 V 600 V
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base FCMT250 FCMT180 FCMT299 FCMT199
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V 51 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.2mA 4.5V @ 1.8mA 3.5V @ 250µA 3.5V @ 250µA
Dissipation de puissance (max) 90W (Tc) 139W (Tc) 125W (Tc) 208W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±20V
Package composant fournisseur Power88 Power88 Power88 Power88
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 6A, 10V 180mOhm @ 8.5A, 10V 299mOhm @ 6A, 10V 199mOhm @ 10A, 10V
Package / Boîte 4-PowerTSFN 4-PowerTSFN 4-PowerTSFN 4-PowerTSFN
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc) 17A (Tc) 12A (Ta) 20.2A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 400 V 1350 pF @ 400 V 1948 pF @ 380 V 2950 pF @ 100 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries SuperFET® III SuperFET® III SuperFET® II SuperFET® II

Fiche technique FCMT250N65S3 PDF

Téléchargez FCMT250N65S3 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCMT250N65S3 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
Feuilles de données
FCMT250N65S3.pdf

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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