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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCH22N60N
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCH22N60N - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCH22N60N
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCH22N60N
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
FCH22N60N.pdf
État RoHS
En stock: 4250

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCH22N60N
onsemi - FCH22N60N Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCH22N60N

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247-3  
Séries SupreMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 11A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 205W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc)  
Numéro de produit de base FCH22N60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCH22N60N

Attributs du produit FCH22N60N FCH25N60N FCH25N60N FCH20N60
Modèle de produit FCH22N60N FCH25N60N FCH25N60N FCH20N60
Fabricant onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 165mOhm @ 11A, 10V 126mOhm @ 12.5A, 10V 126mOhm @ 12.5A, 10V 190mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (max) 205W (Tc) 216W (Tc) 216W (Tc) 208W (Tc)
Package / Boîte TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Séries SupreMOS™ SupreMOS™ SupreMOS™ SuperFET™
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1950 pF @ 100 V 3352 pF @ 100 V 3352 pF @ 100 V 3080 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 22A (Tc) 25A (Tc) 25A (Tc) 20A (Tc)
Emballer Tube Tube Bulk Tube
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-247-3 TO-247-3 TO-247 TO-247-3
Numéro de produit de base FCH22N60 FCH25N60 - FCH20

Fiche technique FCH22N60N PDF

Téléchargez FCH22N60N PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCH22N60N - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 29/Mar/2022.pdf
Assemblage / origine PCN
Mold Compound Change 17/Dec/2021.pdf
Feuilles de données
FCH22N60N.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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