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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCB070N65S3
FCB070N65S3 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCB070N65S3 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCB070N65S3
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCB070N65S3
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
FCB070N65S3.pdf
État RoHS
En stock: 10280

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCB070N65S3
onsemi - FCB070N65S3 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCB070N65S3

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4.4mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263)  
Séries SuperFET® III  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 22A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 312W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3090 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc)  
Numéro de produit de base FCB070  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCB070N65S3

Attributs du produit FCB070N65S3 FCB11N60TM FCB260N65S3 FCB199N65S3
Modèle de produit FCB070N65S3 FCB11N60TM FCB260N65S3 FCB199N65S3
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Numéro de produit de base FCB070 FCB11N60 FCB260 FCB199
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 44A (Tc) 11A (Tc) 12A (Tc) 14A (Tc)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3090 pF @ 400 V 1490 pF @ 25 V 1010 pF @ 400 V 1225 pF @ 400 V
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package composant fournisseur D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Séries SuperFET® III SuperFET™ SuperFET® III SuperFET® III
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 22A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 260mOhm @ 6A, 10V 199mOhm @ 7A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 78 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4.4mA 5V @ 250µA 4.5V @ 1.2mA 4.5V @ 1.4mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 650 V 600 V 650 V 650 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 312W (Tc) 125W (Tc) 90W (Tc) 98W (Tc)

Fiche technique FCB070N65S3 PDF

Téléchargez FCB070N65S3 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCB070N65S3 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf FCB0 19/Jul/2016.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf TO263 31/Aug/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Change 09/May/2023.pdf
Feuilles de données
FCB070N65S3.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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