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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleFCA20N60F
FCA20N60F Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

FCA20N60F - onsemi

Fabricant Modèle de produit
FCA20N60F
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-FCA20N60F
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
FCA20N60F.pdf
État RoHS
En stock: 11554

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques FCA20N60F
onsemi - FCA20N60F Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - FCA20N60F

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-3PN  
Séries SuperFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 208W (Tc)  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3080 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)  
Numéro de produit de base FCA20N60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi FCA20N60F

Attributs du produit FCA20N60F FCA20N60 FCA16N60 FCA22N60N
Modèle de produit FCA20N60F FCA20N60 FCA16N60 FCA22N60N
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 10A, 10V 190mOhm @ 10A, 10V 260mOhm @ 8A, 10V 165mOhm @ 11A, 10V
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Numéro de produit de base FCA20N60 FCA20 FCA16 FCA22N60
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Package composant fournisseur TO-3PN TO-3PN TO-3PN TO-3PN
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Séries SuperFET™ SuperFET™ SuperFET™ SupreMOS™
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3080 pF @ 25 V 3080 pF @ 25 V 2250 pF @ 25 V 1950 pF @ 100 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc) 20A (Tc) 16A (Tc) 22A (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 208W (Tc) 208W (Tc) 167W (Tc) 205W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V

Fiche technique FCA20N60F PDF

Téléchargez FCA20N60F PDF DataSheets et Documentation onsemi pour FCA20N60F - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Feuilles de données
FCA20N60F.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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