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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (BJT) - tableauxEMT1DXV6T1G
EMT1DXV6T1G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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EMT1DXV6T1G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
EMT1DXV6T1G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-EMT1DXV6T1G
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
Emballage
SOT-563, SOT-666
Fiche technique
EMT1DXV6T1,5.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 342140

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Quantité
OPTION EXPRESS
Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques EMT1DXV6T1G
onsemi - EMT1DXV6T1G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - EMT1DXV6T1G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 60V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA  
Transistor Type 2 PNP (Dual)  
Package composant fournisseur SOT-563  
Séries -  
Puissance - Max 500mW  
Package / Boîte SOT-563, SOT-666  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 140MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA  
Numéro de produit de base EMT1DXV6  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi EMT1DXV6T1G

Attributs du produit EMT1DXV6T1G EMT1DXV6T1 EMT3T2R EMT18T2R
Modèle de produit EMT1DXV6T1G EMT1DXV6T1 EMT3T2R EMT18T2R
Fabricant onsemi onsemi Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA 100mA 150mA 500mA
Séries - - - -
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V 120 @ 1mA, 6V 120 @ 1mA, 6V 270 @ 10mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA (ICBO) 500nA (ICBO) 100nA (ICBO) 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 5mA, 50mA 500mV @ 5mA, 50mA 500mV @ 5mA, 50mA 250mV @ 10mA, 200mA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Transistor Type 2 PNP (Dual) 2 PNP (Dual) 2 PNP (Dual) 2 PNP (Dual)
Package composant fournisseur SOT-563 SOT-563 EMT6 EMT6
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Puissance - Max 500mW 500mW 150mW 150mW
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 60V 60V 50V 12V
Numéro de produit de base EMT1DXV6 EMT1 EMT3T2 EMT18
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666
Fréquence - Transition 140MHz 140MHz 140MHz 260MHz

Fiche technique EMT1DXV6T1G PDF

Téléchargez EMT1DXV6T1G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour EMT1DXV6T1G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev 24/Apr/2020.pdf
Emballage PCN
Carrier Tape 15/Aug/2017.pdf Mult Devices 27/Oct/2017.pdf
Conception / spécification PCN
Wire Bond 01/Dec/2010.pdf
Feuilles de données
EMT1DXV6T1,5.pdf

Mode de transport

Délai de livraison

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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