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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxECH8695R-TL-W
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ECH8695R-TL-W - onsemi

Fabricant Modèle de produit
ECH8695R-TL-W
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-ECH8695R-TL-W
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
ECH8695R.pdf
État RoHS
En stock: 124480

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ECH8695R-TL-W
onsemi - ECH8695R-TL-W Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - ECH8695R-TL-W

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-28FL/ECH8  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 5A, 4.5V  
Puissance - Max 1.4W  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate, 2.5V Drive  
Tension drain-source (Vdss) 24V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A  
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numéro de produit de base ECH8695  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi ECH8695R-TL-W

Attributs du produit ECH8695R-TL-W ECH8690-TL-H ECH8697R-TL-W ECH8674-TL-H
Modèle de produit ECH8695R-TL-W ECH8690-TL-H ECH8697R-TL-W ECH8674-TL-H
Fabricant onsemi onsemi onsemi Sanyo
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V 18nC @ 10V 6nC @ 4.5V 6.9nC @ 4.5V
Package composant fournisseur SOT-28FL/ECH8 8-ECH SOT-28FL/ECH8 SOT-28FL/ECH8
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA - - 1.3V @ 1mA
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain N and P-Channel 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 P-Channel (Dual)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 11A 4.7A, 3.5A 10A 5A (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Tension drain-source (Vdss) 24V 60V 24V 12V
Numéro de produit de base ECH8695 ECH8690 ECH8697 ECH8674
Puissance - Max 1.4W 1.5W 1.5W 1.3W (Ta)
Séries - - - -
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.1mOhm @ 5A, 4.5V 55mOhm @ 2A, 10V 11.6mOhm @ 5A, 4.5V 41mOhm @ 3A, 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Fonction FET Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 4V Drive Logic Level Gate, 2.5V Drive -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds - 955pF @ 20V - 660pF @ 6V

Fiche technique ECH8695R-TL-W PDF

Téléchargez ECH8695R-TL-W PDF DataSheets et Documentation onsemi pour ECH8695R-TL-W - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
ECH8695R.pdf
Conception / spécification PCN
ECH869XR 15/Dec/2016.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Change 12/May/2016.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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