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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxECH8601M-TL-H-P
ECH8601M-TL-H-P Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ECH8601M-TL-H-P - onsemi

Fabricant Modèle de produit
ECH8601M-TL-H-P
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-ECH8601M-TL-H-P
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
ECH8601.pdf
En stock: 5020

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ECH8601M-TL-H-P
onsemi - ECH8601M-TL-H-P Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - ECH8601M-TL-H-P

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-ECH  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 4A, 4.5V  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V  
Fonction FET Logic Level Gate, 2.5V Drive  
Tension drain-source (Vdss) 24V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Ta)  
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numéro de produit de base ECH8601  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi ECH8601M-TL-H-P

Attributs du produit ECH8601M-TL-H-P ECH8601M-TL-H ECH8602M-TL-H ECH8601M-P-TL-H
Modèle de produit ECH8601M-TL-H-P ECH8601M-TL-H ECH8602M-TL-H ECH8601M-P-TL-H
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Numéro de produit de base ECH8601 ECH8601 ECH8602 ECH8601
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V 7.5nC @ 4.5V 7.5nC @ 4.5V -
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead -
Configuration 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A (Ta) 8A (Ta) 6A -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA 1.3V @ 1mA - -
Séries - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 24V 24V 30V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Package composant fournisseur 8-ECH 8-ECH 8-ECH -
Fonction FET Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate, 2.5V Drive Logic Level Gate -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 4A, 4.5V 23mOhm @ 4A, 4.5V 30mOhm @ 3A, 4.5V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -

Fiche technique ECH8601M-TL-H-P PDF

Téléchargez ECH8601M-TL-H-P PDF DataSheets et Documentation onsemi pour ECH8601M-TL-H-P - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Devices 28/Apr/2017.pdf
Feuilles de données
ECH8601.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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