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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleECH8402-TL-E
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ECH8402-TL-E - onsemi

Fabricant Modèle de produit
ECH8402-TL-E
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-ECH8402-TL-E
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 10A 8ECH
Description détaillée
Emballage
8-SMD, Flat Lead
Fiche technique
ECH8402.pdf
En stock: 168520

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ECH8402-TL-E
onsemi - ECH8402-TL-E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - ECH8402-TL-E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-ECH  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta)  
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi ECH8402-TL-E

Attributs du produit ECH8402-TL-E ECH8320-TL-H ECH8410-TL-H ECH8309-TL-H
Modèle de produit ECH8402-TL-E ECH8320-TL-H ECH8410-TL-H ECH8309-TL-H
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor Sanyo onsemi
Dissipation de puissance (max) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.6W (Ta) 1.5W (Ta)
Package composant fournisseur 8-ECH SOT-28FL/ECH8 SOT-28FL/ECH8 8-ECH
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 10A (Ta) 9.5A (Ta) 12A (Ta) 9.5A (Ta)
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 10 V 2300 pF @ 10 V 1700 pF @ 10 V 1780 pF @ 6 V
Package / Boîte 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead
Vgs (th) (Max) @ Id - 1.3V @ 1mA 2.6V @ 1mA -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V 25 nC @ 4.5 V 31 nC @ 10 V 18 nC @ 4.5 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 5A, 10V 14.5mOhm @ 5A, 4.5V 10mOhm @ 6A, 10V 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C 150°C 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 30 V 12 V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Bulk Bulk Bulk Tape & Reel (TR)

Fiche technique ECH8402-TL-E PDF

Téléchargez ECH8402-TL-E PDF DataSheets et Documentation onsemi pour ECH8402-TL-E - onsemi.

Feuilles de données
ECH8402.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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