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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBSS138L
BSS138L Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BSS138L - onsemi

Fabricant Modèle de produit
BSS138L
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-BSS138L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
BSS138L.pdf
État RoHS
En stock: 551500

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BSS138L
onsemi - BSS138L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - BSS138L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 200mA, 5V  
Dissipation de puissance (max) 350mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.4 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.75V, 5V  
Tension drain-source (Vdss) 50 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta)  
Numéro de produit de base BSS138  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi BSS138L

Attributs du produit BSS138L BSS138LT3G BSS138LT1G BSS138K
Modèle de produit BSS138L BSS138LT3G BSS138LT1G BSS138K
Fabricant onsemi onsemi onsemi onsemi
Dissipation de puissance (max) 350mW (Ta) 225mW (Ta) 225mW (Ta) 350mW (Ta)
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.75V, 5V 5V 5V 1.8V, 2.5V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta) 200mA (Ta) 200mA (Ta) 220mA (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 50 V 50 V 50 V 50 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 58 pF @ 25 V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.4 nC @ 10 V - - 2.4 nC @ 10 V
Numéro de produit de base BSS138 BSS138 BSS138 BSS138
Séries - - - -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 200mA, 5V 3.5Ohm @ 200mA, 5V 3.5Ohm @ 200mA, 5V 1.6Ohm @ 50mA, 5V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±12V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA 1.5V @ 1mA 1.2V @ 250µA
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3

Fiche technique BSS138L PDF

Téléchargez BSS138L PDF DataSheets et Documentation onsemi pour BSS138L - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Change 12/Feb/2021.pdf
Feuilles de données
BSS138L.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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BSS138L

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