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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - SingleBD435G
BD435G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BD435G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
BD435G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-BD435G
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS NPN 32V 4A TO126
Description détaillée
Emballage
TO-225AA, TO-126-3
Fiche technique
BD435,437,439,441.pdf
État RoHS
En stock: 4700

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BD435G
onsemi - BD435G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - BD435G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 32 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A  
Transistor Type NPN  
Package composant fournisseur TO-126  
Séries -  
Puissance - Max 36 W  
Package / Boîte TO-225AA, TO-126-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Fréquence - Transition 3MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 85 @ 500mA, 1V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100µA (ICBO)  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 4 A  
Numéro de produit de base BD435  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi BD435G

Attributs du produit BD435G BD434S BD436G BD434STU
Modèle de produit BD435G BD434S BD436G BD434STU
Fabricant onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) - 150°C (TJ)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 85 @ 500mA, 1V 40 @ 10mA, 5V - 40 @ 10mA, 5V
Package composant fournisseur TO-126 TO-126-3 - TO-126-3
Emballer Bulk Bulk Bulk Tube
Package / Boîte TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 - TO-225AA, TO-126-3
Numéro de produit de base BD435 - - BD434
Courant - Collecteur (Ic) (max) 4 A 4 A - 4 A
Puissance - Max 36 W 36 W - 36 W
Type de montage Through Hole Through Hole - Through Hole
Fréquence - Transition 3MHz 3MHz - 3MHz
Séries - - * -
Transistor Type NPN PNP - PNP
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100µA (ICBO) 100µA - 100µA
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 32 V 22 V - 22 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A 500mV @ 200mA, 2A - 500mV @ 200mA, 2A

Fiche technique BD435G PDF

Téléchargez BD435G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour BD435G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Assembly Change 28/Dec/2020.pdf
Feuilles de données
BD435,437,439,441.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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