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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleATP108-TL-H
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

ATP108-TL-H - onsemi

Fabricant Modèle de produit
ATP108-TL-H
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-ATP108-TL-H
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK
Description détaillée
Emballage
ATPAK (2 Leads+Tab)
Fiche technique
ATP108-TL-H.pdf
État RoHS
En stock: 5000

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques ATP108-TL-H
onsemi - ATP108-TL-H Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - ATP108-TL-H

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ATPAK  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 35A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)  
Package / Boîte ATPAK (2 Leads+Tab)  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3850 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 79.5 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Ta)  
Numéro de produit de base ATP108  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi ATP108-TL-H

Attributs du produit ATP108-TL-H ATP104-TL-H ATP112-TL-H ATP106-TL-H
Modèle de produit ATP108-TL-H ATP104-TL-H ATP112-TL-H ATP106-TL-H
Fabricant onsemi Sanyo onsemi onsemi
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4mOhm @ 35A, 10V 8.4mOhm @ 38A, 10V 43mOhm @ 13A, 10V 25mOhm @ 15A, 10V
Numéro de produit de base ATP108 - ATP112 ATP106
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Package / Boîte ATPAK (2 Leads+Tab) ATPAK (2 Leads+Tab) ATPAK (2 Leads+Tab) ATPAK (2 leads+tab)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 79.5 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V 33.5 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 70A (Ta) 75A (Ta) 25A (Ta) 30A (Ta)
Package composant fournisseur ATPAK ATPAK ATPAK ATPAK
Tension drain-source (Vdss) 40 V 30 V 60 V 40 V
Séries - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V 4.5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3850 pF @ 20 V 3950 pF @ 10 V 1450 pF @ 20 V 1380 pF @ 20 V
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc) 60W (Tc) 40W (Tc) 40W (Tc)

Fiche technique ATP108-TL-H PDF

Téléchargez ATP108-TL-H PDF DataSheets et Documentation onsemi pour ATP108-TL-H - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Lead Frame Material Update 09/Apr/2014.pdf Mold Compound/Lead Frame Chg 20/Jul/2016.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
ATPY Wafer Fab Transfer 09/Sep/2014.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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