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Accueil Centre des produits Produits semi-conducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Single~~6HP04CH-TL-W~~

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6HP04CH-TL-W - onsemi

Fabricant Modèle de produit: 6HP04CH-TL-W

Fabricant: onsemi

Allelco Modèle de produit: 32D-6HP04CH-TL-W

Modèle ECAD

Description des pièces: MOSFET P-CH 60V 370MA 3CPH

Description détaillée

Emballage: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fiche technique: ~~6HP04CH-TL-W.pdf~~

État RoHS

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En stock: 4700

Spécifications

Spécifications techniques 6HP04CH-TL-W
onsemi - 6HP04CH-TL-W Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - 6HP04CH-TL-W

Attributs du produit	Valeur des attributs
Fabricant	onsemi
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur	3-CPH
Séries	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2Ohm @ 190mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	-
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Emballer	Tape & Reel (TR)

Attributs du produit	Valeur des attributs
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	24.1 pF @ 20 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.84 nC @ 10 V
type de FET	P-Channel
Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	370mA (Ta)
Numéro de produit de base	6HP04

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi 6HP04CH-TL-W

Attributs du produit
Modèle de produit	6HP04CH-TL-W	IRFB4212PBF	SI2311DS-T1-GE3	STP8N80K5
Fabricant	onsemi	Infineon Technologies	Vishay Siliconix	STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2Ohm @ 190mA, 10V	72.5mOhm @ 13A, 10V	45mOhm @ 3.5A, 4.5V	950mOhm @ 3A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Fonction FET	-	-	-	-
Tension drain-source (Vdss)	60 V	100 V	8 V	800 V
type de FET	P-Channel	N-Channel	P-Channel	N-Channel
Emballer	Tape & Reel (TR)	Tube	Tape & Reel (TR)	Tube
Vgs (Max)	±20V	±20V	±8V	±30V
Type de montage	Surface Mount	Through Hole	Surface Mount	Through Hole
Vgs (th) (Max) @ Id	-	5V @ 250µA	800mV @ 250µA	5V @ 100µA
Package composant fournisseur	3-CPH	TO-220AB	SOT-23-3 (TO-236)	TO-220
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	24.1 pF @ 20 V	550 pF @ 50 V	970 pF @ 4 V	450 pF @ 100 V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max)	-	60W (Tc)	710mW (Ta)	110W (Tc)
Séries	-	-	TrenchFET®	SuperMESH5™
Numéro de produit de base	6HP04	-	SI2311	STP8N80
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.84 nC @ 10 V	23 nC @ 10 V	12 nC @ 4.5 V	16.5 nC @ 10 V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	370mA (Ta)	18A (Tc)	3A (Ta)	6A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 10V	10V	1.8V, 4.5V	10V
Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-220-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-220-3

Fiche technique 6HP04CH-TL-W PDF

Téléchargez 6HP04CH-TL-W PDF DataSheets et Documentation onsemi pour 6HP04CH-TL-W - onsemi.

Informations environnementales: onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL: Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf

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Région	Pays	Heure logistique (jour)
Amérique	États-Unis	5
Amérique	Brésil	7
L'Europe 	Allemagne	5
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Océanie	Nouvelle-Zélande	5
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