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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - Single2SK4177-DL-1E
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2SK4177-DL-1E - onsemi

Fabricant Modèle de produit
2SK4177-DL-1E
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-2SK4177-DL-1E
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 1500V 2A TO263-2
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
2SK4177.pdf
État RoHS
En stock: 4660

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2SK4177-DL-1E
onsemi - 2SK4177-DL-1E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - 2SK4177-DL-1E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263-2  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13Ohm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 37.5 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 1500 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta)  
Numéro de produit de base 2SK4177  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi 2SK4177-DL-1E

Attributs du produit 2SK4177-DL-1E 2SK4171 2SK4178-ZK-E1-AY 2SK4174
Modèle de produit 2SK4177-DL-1E 2SK4171 2SK4178-ZK-E1-AY 2SK4174
Fabricant onsemi Sanyo Renesas Panasonic
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta) 100A (Ta) 48A (Tc) -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Séries - - - -
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C -
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc) 1.75W (Ta), 75W (Tc) 1W (Ta), 33W (Tc) -
Numéro de produit de base 2SK4177 2SK4171 - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 4V, 10V 4.5V, 10V -
Package composant fournisseur TO-263-2 TO-220-3 TO-252 (MP-3ZK) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13Ohm @ 1A, 10V 7.2mOhm @ 50A, 10V 9mOhm @ 30A, 10V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 30 V 6900 pF @ 20 V 1500 pF @ 10 V -
Type de montage Surface Mount Through Hole Surface Mount -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 37.5 nC @ 10 V 135 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Tension drain-source (Vdss) 1500 V 60 V 30 V -
Vgs (th) (Max) @ Id - - 2.5V @ 250µA -

Fiche technique 2SK4177-DL-1E PDF

Téléchargez 2SK4177-DL-1E PDF DataSheets et Documentation onsemi pour 2SK4177-DL-1E - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf
Assemblage / origine PCN
Mold compound change 20/Aug/2020.pdf
Feuilles de données
2SK4177.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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