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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - Single2SK3820-DL-1E
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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2SK3820-DL-1E - onsemi

Fabricant Modèle de produit
2SK3820-DL-1E
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-2SK3820-DL-1E
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 100V 26A TO263-2
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
2SK3820.pdf
Notre certification
En stock: 5410

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques 2SK3820-DL-1E
onsemi - 2SK3820-DL-1E Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - 2SK3820-DL-1E

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-263-2  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 13A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.65W (Ta), 50W (Tc)  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Ta)  
Numéro de produit de base 2SK3820  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi 2SK3820-DL-1E

Attributs du produit 2SK3820-DL-1E 2SK3814-Z-E1-AZ 2SK3821-DL-E 2SK3813-Z-E1-AZ
Modèle de produit 2SK3820-DL-1E 2SK3814-Z-E1-AZ 2SK3821-DL-E 2SK3813-Z-E1-AZ
Fabricant onsemi Renesas Electronics America Inc onsemi Renesas Electronics America Inc
Package composant fournisseur TO-263-2 TO-252 (MP-3Z) SMP-FD -
Dissipation de puissance (max) 1.65W (Ta), 50W (Tc) 84W (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) -
Numéro de produit de base 2SK3820 - 2SK3821 -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 13A, 10V 8.7mOhm @ 30A, 10V 33mOhm @ 20A, 10V -
Emballer Tape & Reel (TR) Strip Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Vgs (th) (Max) @ Id - 2.5V @ 1mA 2.6V @ 1mA -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 20 V 5450 pF @ 10 V 4200 pF @ 20 V -
Séries - - - -
Tension drain-source (Vdss) 100 V 60 V 100 V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Fonction FET - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4.5V, 10V 4V, 10V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 73 nC @ 10 V -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Ta) 60A (Ta) 40A (Ta) 60A (Tc)

Fiche technique 2SK3820-DL-1E PDF

Téléchargez 2SK3820-DL-1E PDF DataSheets et Documentation onsemi pour 2SK3820-DL-1E - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 17/Apr/2015.pdf
Assemblage / origine PCN
Frabrication Site Change 27/Aug/2014.pdf
Feuilles de données
2SK3820.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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