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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - Single2SJ656
2SJ656 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2SJ656 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
2SJ656
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-2SJ656
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 100V 18A TO220ML
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
2SJ656.pdf
En stock: 5130

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2SJ656
onsemi - 2SJ656 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - 2SJ656

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220ML  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75.5mOhm @ 9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 30W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 100 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta)  
Numéro de produit de base 2SJ656  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi 2SJ656

Attributs du produit 2SJ656 2SJ661-1EX 2SJ657 2SJ652
Modèle de produit 2SJ656 2SJ661-1EX 2SJ657 2SJ652
Fabricant onsemi onsemi Sanyo Sanyo
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4200 pF @ 20 V - - 4360 pF @ 20 V
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - - 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole - - Through Hole
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 30W (Tc) - - 2W (Ta), 30W (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - MOSFET (Metal Oxide)
Séries - - * -
type de FET P-Channel - - P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75.5mOhm @ 9A, 10V - - 38mOhm @ 14A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V - - 80 nC @ 10 V
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base 2SJ656 2SJ661 - 2SJ652
Vgs (th) (Max) @ Id - - - -
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack - - TO-220-3 Full Pack
Emballer Bulk Tube Bulk Bulk
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V 4V, 10V - 4V, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta) 38A (Tj) - 28A (Ta)
Tension drain-source (Vdss) 100 V - - 60 V
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Package composant fournisseur TO-220ML - - TO-220ML

Fiche technique 2SJ656 PDF

Téléchargez 2SJ656 PDF DataSheets et Documentation onsemi pour 2SJ656 - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Feuilles de données
2SJ656.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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