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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - Single2SJ651
onsemi
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2SJ651 - onsemi

Fabricant Modèle de produit
2SJ651
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-2SJ651
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 60V 20A TO220ML
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
2SJ651.pdf
État RoHS
En stock: 34041

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2SJ651
onsemi - 2SJ651 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - 2SJ651

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220ML  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 10A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 25W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 20 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi 2SJ651

Attributs du produit 2SJ651 2SJ648-T1-A 2SJ652-1E 2SJ649-AZ
Modèle de produit 2SJ651 2SJ648-T1-A 2SJ652-1E 2SJ649-AZ
Fabricant onsemi Renesas Electronics America Inc onsemi Renesas Electronics America Inc
Type de montage Through Hole - Through Hole Through Hole
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 20 V - 4360 pF @ 20 V 1900 pF @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 10A, 10V - 38mOhm @ 14A, 10V 48mOhm @ 10A, 10V
Séries - - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - 150°C (TJ) 150°C (TJ)
type de FET P-Channel - P-Channel P-Channel
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack - TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Isolated Tab
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id - - - -
Tension drain-source (Vdss) 60 V - 60 V 60 V
Package composant fournisseur TO-220ML - TO-220F-3SG TO-220 Isolated Tab
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta), 25W (Tc) - 2W (Ta), 30W (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V - 80 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Ta) 400mA (Tj) 28A (Ta) 20A (Tc)

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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