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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - Single2N7002L
2N7002L Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2N7002L - onsemi

Fabricant Modèle de produit
2N7002L
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-2N7002L
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
2N7002L.pdf
État RoHS
En stock: 935550

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2N7002L
onsemi - 2N7002L Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - 2N7002L

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23-3  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 115mA (Ta)  
Numéro de produit de base 2N7002  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi 2N7002L

Attributs du produit 2N7002L 2N7002LT1H 2N7002KX-7 2N7002KW-TP
Modèle de produit 2N7002L 2N7002LT1H 2N7002KX-7 2N7002KW-TP
Fabricant onsemi onsemi Diodes Incorporated Micro Commercial Co
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta) 225mW (Ta) - 200mW
Numéro de produit de base 2N7002 2N7002 2N7002 2N7002
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 5V, 10V - 4.5V, 10V
type de FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V - 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V 7.5Ohm @ 500mA, 10V - 5Ohm @ 500mA, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C
Package composant fournisseur SOT-23-3 SOT-23-3 (TO-236) - SOT-323
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - SC-70, SOT-323
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 115mA (Ta) 115mA (Tc) - 340mA (Ta)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA - 2.5V @ 1mA
Type de montage Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V - 40 pF @ 10 V
Séries - Automotive, AEC-Q101 * -

Fiche technique 2N7002L PDF

Téléchargez 2N7002L PDF DataSheets et Documentation onsemi pour 2N7002L - onsemi.

Informations environnementales
onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
Logo 17/Aug/2017.pdf Mult Dev Marking Chg 8/March/2018.pdf
Emballage PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Feuilles de données
2N7002L.pdf
Assemblage / origine PCN
Wafer Fab Change 12/Feb/2021.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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