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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaires (BJT) - Single2N6491G
2N6491G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2N6491G - onsemi

Fabricant Modèle de produit
2N6491G
Fabricant
onsemi
Allelco Modèle de produit
32D-2N6491G
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PNP 80V 15A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
2N6487,88, 90,91.pdf
État RoHS
En stock: 101300

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2N6491G
onsemi - 2N6491G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à onsemi - 2N6491G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant onsemi  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 80 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 5A, 15A  
Transistor Type PNP  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries -  
Puissance - Max 1.8 W  
Package / Boîte TO-220-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Fréquence - Transition 5MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5A, 4V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1mA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 15 A  
Numéro de produit de base 2N6491  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de onsemi 2N6491G

Attributs du produit 2N6491G 2N6488 2N6490 2N6491
Modèle de produit 2N6491G 2N6488 2N6490 2N6491
Fabricant onsemi NTE Electronics, Inc onsemi Harris Corporation
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Température de fonctionnement -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Séries - - - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 5A, 4V 20 @ 5A, 4V 20 @ 5A, 4V 20 @ 5A, 4V
Puissance - Max 1.8 W 1.8 W 1.8 W 1.8 W
Courant - Collecteur (Ic) (max) 15 A 15 A 15 A 15 A
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 TO-220 TO-220AB
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 5A, 15A 3.5V @ 5A, 15A 3.5V @ 5A, 15A 3.5V @ 5A, 15A
Transistor Type PNP NPN PNP PNP
Fréquence - Transition 5MHz 5MHz 5MHz 5MHz
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 80 V 80 V 60 V 80 V
Emballer Tube Bag Tube Bulk
Numéro de produit de base 2N6491 - 2N6490 2N6491
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1mA 1mA 1mA 1mA

Fiche technique 2N6491G PDF

Téléchargez 2N6491G PDF DataSheets et Documentation onsemi pour 2N6491G - onsemi.

Informations environnementales
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Conception / spécification PCN
TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dev 30/Mar/2023.pdf Bipolar Power Transistor TO220 Pkg Assembly & Tes.pdf
Feuilles de données
2N6487,88, 90,91.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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