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Tout ce que vous devez savoir sur le MOSFET AO4407A

Le MOSFET AO4407A est un dispositif de canal P 30V fiable et efficace, conçu pour des applications nécessitant une commutation et un contrôle stables.Cet article couvre ses fonctionnalités, ses spécifications, ses utilisations courantes et ses informations sur son fabricant, ce qui facilite la compréhension de son rôle dans divers systèmes électroniques.

Catalogue

Introduction à AO4407A

Le AO4407A est un MOSFET du canal P 30V, construit pour des applications qui nécessitent l'efficacité et la fiabilité.Emballé dans un format SOIC-8 standard, il utilise une technologie de tranchée avancée, ce qui lui permet d'obtenir une résistance à l'État plus faible (RDS ON) et une charge de porte réduite.Cette conception permet d'assurer un fonctionnement plus fluide avec une perte de puissance minimale, ce qui en fait un choix idéal pour la commutation et les applications de modulation de largeur d'impulsion (PWM).La cote de porte 25V améliore encore sa polyvalence, lui permettant de gérer des charges variées tout en conservant des performances cohérentes.Avec sa disposition efficace et sa construction robuste, l'AO4407A s'adapte bien aux exigences des systèmes électroniques modernes, soutenant une opération efficace et à faible énergie dans une gamme de configurations.

Configuration de la broche AO4407A

Modèle CAD AO4407A

Symbole AO4407A

AO4407A

Modèle AO4407A 3D

Spécifications AO4407A

Spécifications techniques, caractéristiques, caractéristiques et composants avec des spécifications comparables d'Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4407A.

Taper	Paramètre
Monter	Support de surface
Type de montage	Support de surface
Package / étui	8-SOIC (0,154, 3,90 mm de largeur)
Nombre d'épingles	8
Matériau d'élément transistor	Silicium
Courant - drain continu (id) @ 25 ℃	12A TA
Tension d'entraînement (max RDS sur, min RDS)	6V 20V
Nombre d'éléments	1
Dissipation de puissance (max)	3.1W TA
Température de fonctionnement	-55 ° C ~ 150 ° C TJ
Conditionnement	Ruban adhésif (TR)
Publié	2013
Statut de partie	Pas pour les nouveaux designs
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (illimité)
Nombre de terminaisons	8
Code ECCN	EAR99
Position terminale	Double
Forme terminale	Aile
Comptage des broches	8
Configuration	Single avec diode intégrée
Mode de fonctionnement	Mode d'amélioration
Dissipation de puissance	3.1W
Type FET	Canal p
Application de transistor	Commutation
Rds sur (max) @ id, vgs	11mΩ @ 12A, 20V
Vgs (th) (max) @ id	3V @ 250μA
Capacité d'entrée (CISS) (max) @ VDS	2600pf @ 15v
Charge de porte (qg) (max) @ vgs	39nc @ 10v
Égoutter la tension de la source (VDSS)	30V
VGS (max)	± 25V
Courant de vidange continu (ID)	12A
Tension de porte à source (VGS)	25V
DS Breakdown Tension-Min	30V
Durcissement des rayonnements	Non
Statut ROHS	ROHS3 conforme
Avance libre	Avance libre

Caractéristiques clés AO4407A

Type de transistor: MOSFET

L'AO4407A est un MOSFET du canal P, un type de transistor conçu pour contrôler le courant en agissant comme un commutateur.Sa structure permet un contrôle efficace sur le débit électrique, ce qui le rend très adapté à la régulation de l'énergie dans diverses applications.

Canal de contrôle: P-canal

Avec sa configuration du canal P, l'AO4407A fonctionne en permettant au courant de s'écouler lorsqu'une tension négative est appliquée à la porte.Cette fonctionnalité est utile pour changer d'applications, en particulier dans les systèmes qui bénéficient de circuits simplifiés.

Dissipation de puissance maximale

L'AO4407A peut gérer jusqu'à 3,1 watts de dissipation de puissance.Cette note signifie qu'elle peut fonctionner en toute sécurité dans des environnements où les niveaux de puissance fluctuent, en maintenant les performances sans surchauffe ni déchets d'énergie.

Tension maximale de vidange

Capable de résister à 30 volts entre ses terminaux de drain et de source, ce MOSFET convient aux applications nécessitant des tolérances de tension plus élevées, offrant une flexibilité dans différentes conceptions de circuits.

Tension maximale de la porte de la porte

L'AO4407A peut gérer une tension de source maximale de 25 volts.Cet attribut offre une fiabilité lorsque vous travaillez dans des circuits où les tensions de grille varient, permettant un fonctionnement stable sans compromettre l'efficacité.

Tension à pas de gale

Avec une tension maximale de seuil de porte de 3 volts, l'AO4407A commence à se dérouler uniquement lorsque ce seuil est atteint.Cette caractéristique garantit qu'elle ne s'active que dans les conditions appropriées, empêchant la commutation accidentelle.

Courant de drain maximum

L'AO4407A peut gérer un courant de drain maximum de 12 ampères.Cette capacité le rend adapté aux applications nécessitant un courant modéré à élevé, garantissant des performances stables et fiables sous charge.

Température maximale de jonction

Conçu pour fonctionner dans une large plage de températures, l'AO4407A peut résister à des températures de jonction jusqu'à 150 ° C.Cette résilience lui permet de fonctionner efficacement dans des conditions environnementales variées sans dégrader ses performances.

Temps de hausse

L'AO4407A a un temps de hausse de 9,4 nanosecondes, qui fait référence à la rapidité avec laquelle il s'allume.Ce temps de réponse rapide en fait un choix idéal pour les applications où le calendrier et l'efficacité sont prioritaires, comme dans les circuits PWM.

Conviction de vidanges-source

Avec une capacité de drain-source de 370 picofarades, ce MOSFET gère efficacement le stockage d'énergie entre ces deux bornes.Cette fonctionnalité est utile pour maintenir le flux de courant lisse et réduire le bruit dans les circuits sensibles.

Résistance à l'État

L'AO4407A a une résistance à l'état de 0,013 ohms, ce qui aide à minimiser la perte de puissance pendant le fonctionnement.Cette faible résistance améliore l'efficacité, ce qui le rend adapté aux applications soucieuses de l'énergie où la réduction de la perte de puissance est une priorité.

Emballer

Emballé dans un format SO-8, l'AO4407A est compact et facile à intégrer dans divers circuits imprimés.Sa conception permet une utilisation efficace de l'espace, offrant une flexibilité pour les applications compactes ou restreintes.

Équivalents de AO4407A

• AO4314

• AO4354

• AO4402

• AO4403

• AO4404B

• AO4405

• AO4406A

• AO4407

• IRF530

• AO4409

• AO4410

• AO4411

• AO4413

• AO4415

• AO4419

• AO4420

• AO4421

Applications et utilisation de AO4407A

L'AO4407A est bien adapté à une utilisation comme interrupteur de charge ou dans les applications de modulation de largeur d'impulsion (PWM).Vous trouverez ci-dessous quelques détails clés du MOSFET AO4407A P-canal:

• Note VDS de -30V

• ID de -12A (avec VGS à -20V)

• RDS (sur) moins de 11mΩ (avec VGS à -20V)

• RDS (sur) moins de 13mΩ (avec VGS à -10V)

• RDS (sur) moins de 17mΩ (avec VGS à -6V)

• Testé entièrement pour la commutation inductive non liée (UIS)

• Testé entièrement pour la résistance aux portes (RG)

Pièces avec des spécifications similaires à AO4407A

Les pièces de droite ont des spécifications similaires à l'Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4407A.

Paramètre	AO4407A	FDS6670A	SI4425DDY-T1-GE3	FDS6679AZ	Irf7821trpbf
Fabricant	Semi-conducteur alpha et Omega	En semi-conducteur	Vishay Siliconix	En semi-conducteur	Infineon Technologies
Monter	Support de surface	Support de surface	Support de surface	Support de surface	Support de surface
Package / étui	8-SOIC (0,154, 3,90 mm de largeur)	8-SOIC (0,154, 3,90 mm de largeur)	8-SOIC (0,154, 3,90 mm de largeur)	8-SOIC (0,154, 3,90 mm de largeur)	8-SOIC (0,154, 3,90 mm de largeur)
Égoutter la tension de la source (VDSS)	30V	30V	30V	-	-
Courant de vidange continu (ID)	12A	-13a	-13a	13.6a	13A
Courant - drain continu (id) @ 25 ° C	12A (TA)	19.7A (TC)	13a (ta)	13.6A (TA)	13a (ta)
Tension de porte à source (VGS)	25V	20V	25V	20V	-
Dissipation de puissance	3.1W	5.7W	2,5 W	2,5 W	2,5 W
Dissipation de puissance - Max	3.1W (TA)	2.5W (TA), 5,7W (TC)	2.5W (TA), 5,7W (TC)	2.5W (TA)	2.5W (TA)

AO4407A Dimensions physiques

À propos du fabricant: Alpha et Omega Semiconductor, Inc.

Alpha et Omega Semiconductor, Inc. (AOS) est un développeur et un fournisseur mondial de semi-conducteurs de puissance, connu pour combiner la conception innovante des appareils, la technologie des processus et l'expertise d'emballage.AOS propose une large gamme de MOSFET de puissance et de CI à puissance conçus pour répondre au besoin croissant d'efficacité énergétique dans les applications à haute demande.Leurs produits sont largement utilisés dans l'électronique portable, les écrans à écran plat, les batteries, les appareils multimédias et les alimentations.En mettant l'accent sur l'optimisation des performances et la rentabilité, AOS continue de soutenir les exigences en évolution des marchés à haut volume, fournissant des composants qui améliorent l'efficacité énergétique et la fiabilité entre divers appareils et technologies.

Fiche technique PDF

Fiche technique AO4407A:

Ao4407a.pdf

Fiche technique FDS6670A:

Fds6670a.pdf

Fiche technique SI4425DDY-T1-GE3:

Si4425ddy-t1-ge3.pdf

Fiche technique FDS6679AZ:

Fds6679az.pdf