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AccueilBlogTransistor de silicium épitaxial SS8050 NPN: Haute performance pour une amplification et commutation de petit signal
sur 2024/09/25

Transistor de silicium épitaxial SS8050 NPN: Haute performance pour une amplification et commutation de petit signal

Dans le monde des semi-conducteurs, les triodes - souvent appelées transistors bipolaires - le sont les composants initiaux de l'électronique moderne.Leur capacité à réguler et à amplifier les courants électriques les rend nécessaires dans un large éventail d'applications, de l'amplification du signal analogique à une commutation efficace dans les circuits numériques.Dans cet article, nous nous concentrons sur le SS8050, un transistor de silicium épitaxial NPN connu pour sa polyvalence et sa fiabilité dans les tâches d'amplification et de commutation à faible puissance.Nous explorerons sa structure, ses caractéristiques et ses utilisations pratiques, en creusant pourquoi le SS8050 est un choix de confiance pour l'électronique quotidienne et les systèmes plus complexes.Que vous soyez intéressé par ses performances à haute fréquence ou son rôle dans l'amplification des signaux audio, ce guide fournira un aperçu complet de ce qui fait du SS8050 un composant dangereux dans la conception électronique moderne.

Catalogue

1. Aperçu du transistor SS8050
2. Spécifications techniques de SS8050
3. NPN vs transistors PNP
4. Implémentation du transistor SS8050
5. Propriétés électriques du SS8050
6. SS8050 contre S8050
7. Tester le transistor SS8050
SS8050 NPN Epitaxial Silicon Transistor: High Performance for Small Signal Amplification and Switching

Aperçu du transistor SS8050

Le SS8050 est un transistor à usage général de faible puissance NPN polyvalent souvent utilisé dans les tâches d'amplification et de commutation.Il se marie avec son homologue PNP complémentaire, le SS8550, pour former un duo de transistor complet.Coupé dans un boîtier à 92, il présente des caractéristiques notables telles qu'une amplification à courant élevé, un faible bruit et des performances remarquables à haute fréquence.

Structurellement, le SS8050 se compose de trois régions: l'émetteur de type N, la base de type P et le collecteur de type N.Ces régions mettent en évidence sa signification en tant que transistor de jonction bipolaire avec des capacités d'amplification de courant exceptionnellement efficaces.Les propriétés électriques robustes du SS8050 le rendent bien adapté à une gamme d'applications de faible puissance, y compris des amplificateurs audio et des circuits de commutation.

La capacité du SS8050 à effectuer dans des conditions de faible bruit en fait un composant chéri dans les applications de fréquence audio, garantissant une qualité sonore vierge sans perturbations étrangères.Au-delà de ses prouesses dans les applications audio, les performances stellaires à haute fréquence du SS8050 lui permet de prospérer dans des dispositifs de communication, améliorant sa fonctionnalité.

Remplacements du transistor SS8050

- MPS650G

- MPS651

- MPS8050

- S9013

- 2N551

- 2N5830

Spécifications techniques de SS8050

Le SS8050, fabriqué par des fabricants réputés Onsemi et Fairchild, est un transistor NPN flexible et fiable.Son équilibre de performance et de praticité le voit adopté dans une multitude d'applications électroniques.Placer dans ses spécifications techniques expose ses forces et ses scénarios d'utilisation idéaux.Enveloppé dans un ensemble SOT-23-3, le SS8050 est apprécié pour sa conception compacte mais efficace.

Ce sont les dimensions précises de ce cas.

- Longueur: 4,58 mm

- Largeur: 3,86 mm

- Hauteur: 4,58 mm

Ces mesures le rendent apte à de nombreuses applications de montage à travers, en particulier lorsque l'espace est limité.La conception du cas TO-92-3 favorise également une dissipation de chaleur efficace, maintenant la fiabilité du transistor dans divers environnements opérationnels.

Dissipation de puissance

Le SS8050 possède une cote de dissipation de puissance de 1 W. Cette note indique la plus grande quantité de puissance que le transistor peut se disperser sans enfreindre les limites thermiques.Dans les circuits où le transistor pourrait supporter des charges variables, cette caractéristique aide à maintenir les performances stables et empêche la surchauffe.Les observations révèlent que l'adhérence aux limites de dissipation de puissance étend la durée de vie opérationnelle du transistor et réduit les taux d'échec.

Courant de collecteur

Soutenant un courant de collecteur continu de 1,5 A, le SS8050 est bien adapté pour conduire des charges modérées.Il s'agit notamment de petits moteurs, LED et autres composants qui nécessitent un flux de courant stable.Sa capacité à gérer ce courant en fait de manière fiable une option préférée dans l'électronique grand public et les applications industrielles.

Plage de température

Le SS8050 fonctionne efficacement dans une plage de température de -65 ° C à 150 ° C, présentant sa robustesse dans diverses conditions.Cette gamme étendue lui permet d'être déployée dans divers climats, gérant à la fois un froid extrême et une chaleur importante.L'utilisation de composants dans leurs gammes de températures spécifiées offre non seulement de meilleures performances, mais assure également la longévité, car les extrêmes peuvent saper la stabilité et la fiabilité électroniques.

NPN vs transistors PNP

Transistor NPN (SS8050)

Fig. 1 NPN Transistor (SS8050)

Pour le transistor SS8050, la relation actuelle suit IE = IC + IB.En ancrant les trois épingles, vous pouvez disséquer ses états opérationnels.

État amplifié - La condition VC> vb> ve signifie un état amplifié où l'émetteur est biaisé positif et le collecteur est biaisé inversé.Cette configuration propulse la capacité du transistor à amplifier les signaux, en sculptant son rôle indispensable dans l'amélioration de l'audio dans l'électronique grand public et à affiner les signaux dans les dispositifs de communication.

État de saturation - Dans ce mode, où vb> vc> ve, l'émetteur et le collecteur sont biaisés positifs.Cette condition entraîne le transistor en saturation, permettant au courant maximal de jaillir du collecteur à l'émetteur.Cet état est exploité dans les alimentations en mode commutateur et les circuits logiques numériques où la commutation agile est active.

État de coupure - L'état VB> VC> VC indique que l'émetteur et le collecteur sont à la biais de l'inverse.Dans ce mode, le courant négligeable circule, éteignant efficacement le transistor.Ce comportement garantit des états de marche / arrêt clairs dans les circuits numériques, favorisant les opérations logiques fiables.Par conséquent, les commutateurs et les relais déploient ce mode pour contrôler efficacement le flux de puissance.

Transistor PNP (SS8550)

Fig.2 PNP Transistor (SS8550)

Pour le transistor SS8550, la relation actuelle suit ic = ie + ib.En ancrant les trois épingles, ses états opérationnels peuvent être identifiés.

État amplifié - Dans ce mode, ve> vb> vc, l'émetteur est biaisé positif et le collecteur est biaisé.Le transistor fonctionne dans sa région d'amplification, semblable au transistor NPN mais avec une polarité inversée.Cet état est exploité dans des circuits analogiques, tels que les systèmes de régulation de tension, où les signaux de sortie stables sont dominants.

État de saturation - Lorsque VE> VC> VB, l'émetteur et le collecteur sont biaisés positifs.Le transistor PNP permet un flux de courant maximal de l'émetteur au collecteur dans cet état.Il est fortement adapté aux circuits qui exigent des transitions rapides entre les états ON et OFF, tels que les systèmes de gestion de l'alimentation et les applications de contrôle des moteurs.

État de coupure - La condition VB> ve> VC signifie que l'émetteur et le collecteur sont à la biais de l'inverse.Cela place le transistor à l'état de coupure, entraînant aucun flux de courant substantiel, désactivant ainsi le transistor.En pratique, ce comportement est requis pour un contrôle efficace de la livraison de puissance dans les dispositifs électroniques, en assurant la conservation de l'énergie et en empêchant la consommation d'énergie redondante.

Implémentation du transistor SS8050

Le transistor SS8050 est polyvalent et largement utilisé dans les circuits d'amplification, de commutation et de réglementation.Il apparaît généralement dans les systèmes de gestion de l'alimentation et les amplificateurs audio.Vous trouverez ci-dessous quelques idées et stratégies détaillées pour maximiser son efficacité:

État d'exploitation

Le choix de l'état opérationnel - qu'il s'agisse d'amplification, de saturation ou de coupure - dépend de l'application spécifique.Le maintien du transistor dans sa région active peut améliorer les performances d'un amplificateur.Pour la commutation des applications, le basculement entre les états de saturation et de coupure est avantageux.De nombreux techniciens expérimentés croient que l'étalonnage méticuleux du point de fonctionnement augmente non seulement l'efficacité du système, mais améliore également sa fiabilité.

Vérification de la polarité

La vérification avec précision des connexions de polarité et de broches garantit un fonctionnement approprié.L'identification du collecteur (marqué "C") et l'émetteur (marqué "E") correctement est adapté pour éviter les dysfonctionnements du circuit.En règle générale, les multimètres pendant l'assemblage de circuits pour confirmer ces connexions, réduisant le risque d'erreurs et garantissant des performances stables.

Connexion du circuit

Diverses configurations sont possibles lors de l'intégration du transistor SS8050 en circuits.

Configuration de l'émetteur commune - Cette configuration est fréquemment utilisée dans les amplificateurs de puissance pour augmenter de manière suggestive la puissance de sortie tout en maintenant l'intégrité du signal.Un biais précis de la jonction de l'émetteur de base est dynamique pour un fonctionnement efficace et est généralement réalisé via un réseau de diviseur de tension stable.

Configuration du collecteur commune - connu pour ses propriétés de suivi de la tension, cette configuration contribue à fournir une correspondance d'impédance dans les circuits.Cette configuration est en phase tampon pour maintenir l'amplitude du signal, qui est utilisée pour préserver la fidélité du signal transmis.

Configuration de base commune - Préférée pour les applications à haute fréquence, la configuration de base commune offre une impédance d'entrée minimale et une bande passante élevée souvent cette configuration dans les amplificateurs RF assure une réponse en fréquence supérieure avec une perte et une distorsion minimales à des fréquences plus élevées.

Propriétés électriques du SS8050

Symbole
Paramètre
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unité
BvCbo
Tension de panne de collectionneur
jeC = 100 µA, iE = 0
40


V
BvPDG
Tension de panne collectionneur-émetteur
jeC = 2 mA, jeB = 0
25


V
BvEBO
Tension de panne d'émetteur
jeE = 100 µA, iC = 0
6


V
jeCbo
Courant de coupure du collecteur
VCb = 35 V, iE = 0


100
n / A
jeEBO
Courant de coupure d'émetteur
VEB = 6 V, IC = 0


100
n / A
HFE1



Dc Gain actuel
VCE = 1 V, iC = 5 mA
45



HFE2
VCE = 1 V, iC = 100 mA
85

300
HFE3
VCE = 1 V, iC = 800 mA
40


VCE(assis)
Tension de saturation collectionneur-émetteur
jeC = 800 mA, jeB = 80 mA


0,5
V
VÊTRE(assis)
Tension de saturation de l'émetteur de base
jeC = 800 mA, jeB = 80 mA


1.2
V
VÊTRE(sur)
Émetteur de base sur tension
VCE = 1 V, iC = 10 mA


1
V
Cob
Capacité de sortie
VCb = 10 V, iE = 0, f = 1 MHz

9.0

PF
fT
Produit de bande passante actuel
VCE = 10 V, iC = 50 mA
100


MHz


SS8050 vs S8050

Lorsque vous plongez dans les SS8050 et S8050, il devient intrigant d'explorer leurs caractéristiques électriques et leurs applications pratiques pour une meilleure appréciation de ces composants.

Propriétés électriques

L'examen des propriétés électriques des SS8050 et S8050 révèle des différences qui influencent leur utilisation dans divers conceptions.

La tension du SS8050 est de 30 V tandis que la tension S8050 est de 40 V. Cette capacité de tension plus élevée du S8050 le rend plus approprié pour les circuits nécessitant une plus grande tension de panne.Le gain actuel de SS8050 varie de 120 à 300, tandis que le S8050 varie de 60 à 150. Un gain de courant plus élevé dans le SS8050 signifie souvent de meilleures capacités d'amplification, ce qui le rend préférable dans les applications qui nécessitent une augmentation substantielle du signal.

Applications

Le SS8050 trouve sa place dans les circuits d'alimentation AC.Son gain de courant capital et sa cote de tension distincte le rendent idéal pour les scénarios où une amplification robuste et des performances stables à des tensions relativement plus élevées sont recherchées.Par exemple, les amplificateurs de puissance dans les systèmes audio utilisent fréquemment des transistors comme le SS8050 pour garantir des performances exemplaires et une qualité sonore claire.

D'un autre côté, le S8050 est apte pour des applications basse tension et basse puissance, telles que des alarmes et des circuits de commutation simples.Sa tension maximale inférieure et son gain de courant modéré s'adaptent bien aux appareils qui ne nécessitent pas une puissance élevée ou une amplification étendue.Par exemple, les systèmes de sécurité implémentent souvent les S8050 dans les circuits de capteur, offrant un fonctionnement fiable avec une consommation d'énergie minimale.

Conditionnement

L'emballage physique de ces transistors peut également affecter leur intégration dans différentes conceptions matérielles.

Le SS8050 est généralement disponible dans un package SOT-23.Ce type d'emballage est bénéfique pour les conceptions compactes de montage en surface, ce qui en fait un choix préféré dans les dispositifs électroniques modernes visant à la miniaturisation.

Le S8050 est généralement disponible dans un package à 92.Cet ensemble plus grand est plus adapté aux applications de PCB à travers un trou, offrant une facilité de manipulation et d'installation, en particulier pendant les étapes du prototypage et lorsque la prise en charge mécanique robuste est un must.

Tester le transistor SS8050

Pour évaluer la fonctionnalité du transistor SS8050, commencez par un multimètre défini sur le mode de test des diodes et mesurez la résistance entre l'émetteur de base et les jonctions de collecteur de base.Connectez la sonde rouge à la base et à la sonde noire à l'émetteur ou au collecteur.Vous devez observer une chute de tension, généralement entre 0,6 V et 0,7 V.Cette chute de tension indique le bon fonctionnement des jonctions de transistor.En inversant les sondes, le multimètre doit afficher une résistance infinie, affirmant la santé du transistor.

Au-delà des tests de base, les expériences pratiques révèlent des distinctions supplémentaires dans l'évaluation des transistors.Des facteurs environnementaux tels que la température peuvent influencer les lectures.Ces détails deviennent souvent évidents lors du travail sur le terrain dans des conditions climatiques variables.L'ajustement des protocoles de test pour ces facteurs environnementaux garantit des résultats précis.Des tests répétés pourraient révéler des incohérences subtiles qui justifient une enquête plus approfondie, soulignant l'importance de l'observation méticuleuse.

Le transistor SS8050 est évalué à son abordabilité et à sa simplicité, ce qui en fait un choix fréquent dans de nombreux projets électroniques et sa capacité à gérer des charges d'énergie modérées sans problèmes de dissipation de chaleur substantiels, un trait souvent observé lors de l'utilisation à long terme dans diverses applications.Cette cohérence rend le SS8050 fiable pour les tâches telles que l'amplification du signal et les opérations de commutation dans des circuits à faible puissance.






Questions fréquemment posées [FAQ]

1. Que peut remplacer SS8050?

Les remplacements possibles pour SS8050 incluent MPS650, MPS650G, MPS651, MPS651G et MPS8050.Lors de la sélection d'un substitut, examinez les paramètres comme la tension, la note de courant et le gain pour assurer la compatibilité.Par exemple, le MPS8050 partage des caractéristiques électriques similaires et peut servir de remplacement direct dans la plupart des circuits, en maintenant l'intégrité et les performances du circuit.

2. Quelles sont les utilisations de SS8050?

SS8050 est largement appliqué dans l'amplification audio et divers circuits électroniques (par exemple, les applications de commutation).Ce dispositif brille dans des scénarios nécessitant une amplification de puissance faible à moyenne, offrant une transmission de signal efficace.Par exemple, dans l'équipement audio, SS8050 assure une amplification solide en augmentant efficacement les signaux audio faibles, offrant une expérience audio plus claire.

3. Différence entre S8050 et S8550?

Les transistors S8050 et S8550 diffèrent principalement de leur comportement de conduction.Un circuit S8050 active une charge, comme une lumière, lorsqu'un bouton est enfoncé, favorisant une conduction de haut niveau tandis qu'un circuit S8550 active la charge lorsque le bouton est libéré, permettant une conduction de bas niveau.Cette différence découle de leur nature NPN et PNP distincte, ce qui a un impact sur leurs fonctionnalités dans les circuits de contrôle.Chaque type de transistor gère les états ON et OFF des dispositifs connectés en fonction de leurs propriétés de conduction uniques.

4. Applications principales de SS8050?

SS8050 est largement utilisé dans les tâches d'amplification, la commutation dans les circuits électroniques, les amplificateurs audio, l'amplification du signal et la commutation de puissance faible à moyenne.Son rôle dans les amplificateurs audio est principalement remarquable, car il améliore la qualité sonore en stimulant les signaux audio faibles.L'utilisation du transistor dans les circuits d'amplification du signal met l'accent sur sa polyvalence et son efficacité dans le maintien de la clarté et de l'intégrité du signal à travers diverses applications électroniques.

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