Servant de diode de commutation rapide, le MMBD4148 est intégré dans les cadres de circuits modernes, améliorant sa valeur avec un package compact SOT23 (à 236AB).Cette caractéristique est attrayante pour les conceptions exigeant l'efficacité spatiale, s'alignant avec la tendance continue vers la miniaturisation des bandes-banques.À mesure que la technologie évolue, ces diodes permettent une fonctionnalité plus efficace dans les systèmes électroniques complexes.La fonction de commutation rapide de la diode brille dans les applications à haute fréquence.Avec une baisse de tension avant et des capacités de désactivation rapide, il favorise la conservation de l'énergie et atténue l'accumulation thermique, un facteur de durabilité du système à grande utilisation.Ces diodes améliorent la fiabilité du circuit et la durée de vie grâce à une dissipation d'énergie minimisée.
S'étendant au-delà de la commutation à grande vitesse, le MMBD4148 montre la compétence dans divers circuits, de la logique numérique aux applications RF.Sa fiabilité dans ces paramètres illustre l'avantage d'aligner les composants choisis avec les besoins de conception actuels et futurs.Lorsque vous incorporez le MMBD4148 dans des projets, vous vous concentrez sur l'harmonisation de la sélection des composants avec la complexité du circuit.La considération s'étend au-delà des propriétés électriques à la façon dont ces attributs s'alignent sur les objectifs globaux du système.Le MMBD4148 est mis en évidence comme un outil important dans la conception électronique moderne, où la fusion de l'efficacité avec miniaturisation est une poursuite de base.Cet équilibre délicat reflète la direction de l'industrie plus large vers l'électronique avancée mais compacte, soutenant à la fois les normes actuelles et l'innovation future, en fournissant une base solide pour les nouvelles applications.
PIN N ° |
Nom |
Description |
1 |
ANODE |
Plomb positif, reçoit le pouvoir |
2 |
Non connecté |
Aucune connexion ou fonction |
3 |
CATHODE |
Plomb négatif, termine le circuit |
L'incorporation de la capacité minimale du MMBD4148 garantit l'intégrité du signal dans les applications à haute fréquence.Sa capacité diminuée réduit efficacement la charge sur les éléments du circuit adjacent, maintenant ainsi la précision de la forme d'onde du signal.Il met en évidence le courant de fuite minimal, la clé de l'atténuation de la perte de puissance indésirable, une préoccupation pour les dispositifs à batterie et soucieux de l'énergie.Ces caractéristiques positionnent la diode comme un choix optimal pour les systèmes électroniques à base de précision, où l'économie d'énergie est une considération.
Bénéficiant d'une capacité de tension inverse atteignant 75 V, le MMBD4148 est conçu pour supporter les variations de tension sans subir de dégâts, favorisant la fiabilité dans les scénarios de tension fluctuants.Ce trait, associé à une tension de récupération inverse maximale alignée avec un VRRM de 75 V, indique des performances substantielles dans la rupture de la rupture sous contrainte.
La sélection du MMBD4148 dans un circuit souligne son équilibre entre l'agilité et la fiabilité.Son déploiement à travers des environnements électroniques contemporains variés met en évidence sa polyvalence et ses performances régulières dans des circonstances où la réactivité rapide et la durabilité ont priorité.Les caractéristiques de la diode se synchronisent de manière transparente avec les demandes actuelles de composants compacts et fiables, en l'établissant comme une option privilégiée pour les applications technologiques innovantes et avantageuses.
Spécifications techniques, fonctionnalités et paramètres du MMBD4148, ainsi que des composants qui correspondent ou ressemblent à ceux du MMBD4148,215 de Nexperia USA Inc.
Taper |
Paramètre |
Délai d'usine |
4 semaines |
Package / étui |
À 236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Nombre d'épingles |
2 |
Nombre d'éléments |
1 |
Publié |
2009 |
Statut de partie |
Actif |
Nombre de terminaisons |
3 |
Position terminale |
DOUBLE |
Numéro de pièce de base |
MMBD4148 |
Code JESD-30 |
R-PDSO-G3 |
Vitesse |
Récupération rapide <= 500ns, > 200mA (IO) |
Courant - fuite inversée @ VR |
500NA @ 75V |
Courant vers l'avant |
215mA |
Type de montage |
Support de surface |
Support de surface |
OUI |
Matériau de l'élément de diode |
SILICIUM |
Conditionnement |
Ruban adhésif (TR) |
Code JESD-609 |
E3 |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (illimité) |
Finition terminale |
Étain (sn) |
Forme terminale |
Aile |
Comptage des broches |
3 |
Configuration |
CÉLIBATAIRE |
Type de diode |
Standard |
Tension - en avant (vf) (max) @ si |
1.25 V @ 150mA |
Température de fonctionnement |
-150 ° C max |
Current - Rectifié moyen (IO) |
215mA DC |
Courant inversé maximal |
500NA |
Capacité @ vr, f |
1,5pf @ 0v 1MHz |
Courant de surtension maximale (IFSM) |
4A |
Plage de température ambiante élevée |
150 ° C |
Statut ROHS |
ROHS3 conforme |
Temps de récupération inversé |
4NS |
Tension inverse répétitive maximale (VRRM) |
75V |
Tension inversée |
75V |
Température de jonction maximale (TJ) |
150 ° C |
Hauteur |
1,1 mm |
La diode MMBD4148 se distingue par ses capacités de commutation rapide, ce qui en fait un composant favorisé dans diverses applications qui hiérarchisent l'efficacité et la fiabilité.Cette diode démontre systématiquement des performances exemplaires dans de nombreux circuits électroniques, servant des rôles au-delà de ses fonctions.
L'attrait du MMBD4148 dans des contextes de commutation à grande vitesse est enraciné dans sa capacité à passer entre les états à latence négligeable. Une telle commutation rapide améliore les circuits numériques où le timing exact est une nécessité.L'intégration de cette diode dans les microcontrôleurs ou les unités de traitement du signal numérique peut affiner les performances tout en conservant l'alimentation pour les appareils alimentés par batterie.Tout au long de l'histoire, de telles diodes ont été intégrées dans les conceptions de circuits pour améliorer les fonctions de porte logique, jouant un rôle transparent dans les circuits de changement de vitesse logique.L'évolution de l'électronique grand public, où la réduction et la vitesse des dimensions sont importantes, les avantages des conceptions qui exploitent le délai de propagation minimisée.
Le MMBD4148 prospère dans la commutation à usage général en raison de son adaptabilité à travers des spectres opérationnels variés. Son rôle est important dans les circuits de protection, fournissant une réponse rapide aux dommages à l'évacuation de surtension. Les applications englobent les systèmes automobiles, les machines industrielles et l'électronique grand public, où il sert fréquemment d'élément protecteur dans plusieurs configurations de commutation.MMBD4148 devient souvent le choix préféré pour gérer les demandes d'application polyvalentes tout en maintenant les performances.Il devient évident que la fiabilité de cette diode entraîne moins de défaillances de composants et de longévité de dispositive étendue.MMBD4148 contribue principalement aux solutions de commutation à haut débit et à usage général, son rôle est important dans la sauvegarde des performances et de la protection dans une variété de systèmes électroniques.
Les circuits de test pour la diode MMBD4148 ouvrent les possibilités de plonger dans ses traits de récupération et les caractéristiques de tension de récupération directe.Ces éléments influencent ses performances dans les applications à commutation rapide.S'engager dans un régime d'essai révèle souvent des détails complexes qui peuvent aider à adapter les diodes pour des utilisations particulières, augmentant ainsi l'efficacité des circuits.
Les pièces énumérées ci-dessous ont des spécifications comparables à celles de MMBD4148,215 de Nexperia USA Inc. et MMBD4148.
Numéro de pièce |
Fabricant |
Package / étui |
Courant - Rectifié moyen
(Io) |
Temps de récupération inversé |
Statut ROHS |
Niveau de sensibilité à l'humidité
(MSL) |
Nombre de terminaisons |
Matériau de l'élément de diode |
Type de diode |
MMBD4148,215 |
Nexperia USA Inc. |
À 236-3, SC-59, SOT-23-3 |
215mA (DC) |
4NS |
ROHS3 conforme |
1 (illimité) |
3 |
SILICIUM |
Standard |
MMBD3004S-13-F |
Diodes incorporées |
À 236-3, SC-59, SOT-23-3 |
300mA (DC) |
4 ns |
ROHS3 conforme |
1 (illimité) |
3 |
SILICIUM |
Standard |
MMBD7000HC-7-F |
Diodes incorporées |
À 236-3, SC-59, SOT-23-3 |
200mA (DC) |
4 ns |
ROHS3 conforme |
1 (illimité) |
3 |
SILICIUM |
Standard |
MMBD7000-E3-08 |
Division des diodes à semi-conducteurs de Vishay |
À 236-3, SC-59, SOT-23-3 |
225mA (DC) |
50 ns |
ROHS3 conforme |
1 (illimité) |
3 |
SILICIUM |
Standard |
MMBD914-E3-08 |
Division des diodes à semi-conducteurs de Vishay |
À 236-3, SC-59, SOT-23-3 |
- |
4 ns |
ROHS3 conforme |
1 (illimité) |
3 |
SILICIUM |
Standard |
Nexperia a sculpté sa place en tant qu'entité proéminente dans le royaume des semi-conducteurs, vénérée pour la création de dispositifs discrets, logiques et MOSFET.Ces composants trouvent leur chemin dans d'innombrables applications, s'étendant des gadgets aux systèmes industriels complexes.Le dévouement de la société à des processus de production exceptionnels fait écho à son engagement à aborder l'appétit mondial naissant pour l'électronique avancée.Ce dévouement se manifeste par leurs larges capacités de fabrication, qui placent constamment Nexperia à la pointe des progrès de l'industrie.L'impact de Nexperia va au-delà de leurs réalisations commerciales directes, influençant les tendances plus larges de l'industrie.Leurs avancées dans les dispositifs discrets et logiques peuvent réduire les changements dans les philosophies de conception électronique et inciter à d'autres fabricants à augmenter leurs normes de qualité et environnementales.Nexperia est bien positionnée pour continuer comme une force influente, façonnant potentiellement les orientations technologiques futures avec leur dévouement inébranlable à l'excellence et à la réponse agile aux exigences du marché.
Les diodes de commutation à haut débit jouent un rôle dans le paysage de l'électronique moderne, offrant des transitions transparentes en gérant habilement des tensions inversées de pointe atteignant jusqu'à 100 volts et en soutenant les courants à terme pouvant atteindre 450 milliames.Leur contribution est indéniable pour élever la vitesse opérationnelle des dispositifs qui prospèrent sur le traitement rapide des données.En optimisant soigneusement ces attributs, les fabricants s'efforcent d'améliorer les performances de l'appareil tout en réduisant la dissipation de puissance, un défi toujours présent dans la conception de la microélectronique.
Les diodes de redresseur et les suppresseurs transitoires sont favorisés dans les scénarios de changement rapide en raison de leur capacité exceptionnelle à fonctionner à des vitesses au niveau de la nanoseconde.Leur transition rapide entre les états sur et les états les rend précieuses dans des environnements qui exigent un fonctionnement à haute fréquence, comme dans les unités d'alimentation et les systèmes de traitement du signal.La conception de ces diodes est également méticuleuse, se concentrant sur la réduction de la capacité et de l'inductance parasitaires, les facteurs connus pour altérer la fonctionnalité.
La diode MMBD4148 est reconnue pour sa compétence en tant que solution de commutation à haut débit, offerte dans un petit package SOT23 (à 236AB) sur surface adapté à l'intégration dans des dispositions de circuits densément disposées.Ce facteur de forme compact prend en charge la conception de haute densité tout en optimisant la régulation thermique.Sa conception robuste répond aux demandes des applications où la précision et la durabilité sont d'une grande importance.Le passage aux packages montés sur surface a historiquement transformé la technologie des cartes de circuits imprimées, facilitant la miniaturisation des composants sans compromettre les performances.En tant que tel, le MMBD4148 apparaît comme un candidat idéal pour améliorer l'efficacité et la fiabilité du circuit à travers une multitude d'implémentations technologiques.
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