sur 2024/11/15 88

Guide du transistor IRLML6402: configuration, fonctionnalités et fiche technique

L'IRLML6402, développé par Infineon Technologies, est un MOSFET hexfet de canal P robuste, spécialement conçu pour des applications nécessitant une gestion compacte et efficace de l'énergie.Avec un seuil de -20 V et logé dans le paquet Micro3 (SOT-23) à économie d'espace, ce MOSFET combine de fortes performances électriques avec un impact thermique minimal, ce qui le rend idéal pour les circuits à petite échelle à haute efficacité.Cet article explorera sa faible résistance à faible résistance, son contrôle de seuil précis, sa configuration de broches et son large potentiel d'application dans l'électronique de puissance.En mettant en évidence ces fonctionnalités, nous découvrirons comment l'IRLML6402 améliore l'efficacité du système, la fiabilité et la flexibilité de conception dans une variété de paysages technologiques.

Catalogue

Aperçu de l'IRRML6402

Le Irlml6402 est un MOSFET de puissance hexfet du canal p conçu pour le fonctionnement à -20V.Il est enfermé dans un package élégant et minimal Micro3 (SOT-23).Ce MOSFET présente fièrement une résistance sur la résistance impressionnante par rapport à ses dimensions compactes, aux côtés de la résilience et des capacités de commutation rapides.Ces éléments font du MOSFET une option polyvalente pour améliorer à la fois l'efficacité et la fiabilité dans un large éventail de contextes, tels que la gestion des batteries, les appareils portables, les cartes PCMCIA et les circuits imprimés compacts.

Les techniques de fabrication de pointe de International Rectifier obtiennent une réduction exceptionnelle de la résistance sur le plan.Cette fonctionnalité, combinée à la commutation rapide et à la conception robuste typiques des MOSFET Hexfet®, offre un moyen précieux de gestion de l'énergie et de la charge sur de nombreux appareils.Le package Micro3, avec son cadre de plomb optimisé thermiquement, garantit qu'il occupe la plus petite empreinte de l'industrie, ajustant parfaitement des applications limitées dans l'espace.Son profil bas, mesurant moins de 1,1 mm, accueille les conceptions électroniques les plus élégantes tout en offrant des performances thermiques supérieures et une gestion de l'alimentation.

Dans les scénarios réels, l'IRRML6402 prouve sa valeur dans les systèmes de gestion de la batterie en améliorant la longévité de la batterie grâce à une perte de puissance minimisée.De même dans les appareils portables, sa taille minimale et ses performances efficaces jouent un rôle dans l'extension de la durée de vie des appareils et de la fiabilité.Pour les personnes impliquées dans la conception du système électronique, l'intégration de ces composants peut alléger considérablement le flux de travail, garantissant que les dispositifs fonctionnent dans les paramètres thermiques idéaux.

Configuration de la broche

Modèles CAO

Symbole

Empreinte

Visualisation 3D

Caractéristiques de l'irml6402

Fonctionnalité	Description
Taper	MOSFET du canal P
Emballer	Empreinte SOT-23
Profil	Profil bas (<1.1mm)
Conditionnement	Disponible en ruban adhésif et bobine
Commutation	Commutation rapide
Conformité	Sans plomb, sans halogène
Tension de drainage à source (VDS)	-20v
Tension de porte à source (VGS)	± 12V
Résistance sur le plan (RDS (ON))	80mΩ à VGS -2,5 V
Dissipation de puissance (PD)	1,3 W à 25 ° C
Courant de vidange continu (ID)	-3,7a à VGS -4,5 V et 25 ° C
Plage de températures de jonction de fonctionnement	-55 ° C à 150 ° C
Facteur de rétrécissement thermique	0,01W / ° C

Spécifications techniques

Infineon Technologies Irlml6402tr Tableau de spécifications et d'attributs.

Taper	Paramètre
Type de montage	Support de surface
Package / étui	À 236-3, SC-59, SOT-23-3
Support de surface	OUI
Matériau d'élément transistor	SILICIUM
Courant - drain continu (id) @ 25 ℃	3.7a TA
Nombre d'éléments	1
Température de fonctionnement (max.)	150 ° C
Conditionnement	Ruban de coupe (CT)
Série	Hexfet®
Publié	2003
Code JESD-609	E3
Statut de partie	Obsolète
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (illimité)
Nombre de terminaisons	3
Code ECCN	EAR99
Finition terminale	Étain mat (sn)
Fonctionnalité supplémentaire	Haute fiabilité
Position terminale	DOUBLE
Forme terminale	Aile
Température de reflux maximale (CEL)	260
Time @ Peak Reflow Temp-Max (s)	30
Code JESD-30	R-PDSO-G3
Statut de qualification	Pas qualifié
Configuration	Single avec diode intégrée
Mode de fonctionnement	Mode d'amélioration
Type FET	Canal p
Application de transistor	Commutation
Rds sur (max) @ id, vgs	65mΩ @ 3,7a, 4,5 V
Vgs (th) (max) @ id	1,2 V @ 250μA
Capacité d'entrée (CISS) (max) @ VDS	633pf @ 10v
Charge de porte (qg) (max) @ vgs	12nc @ 5v
Égoutter la tension de la source (VDSS)	20V
Code JEDEC-95	À 236ab
Égoutter le courant-max (ABS) (ID)	3.7a
Drainage-source sur la résistance-max	0,065Ω
Courant de drain pulsé-max (IDM)	22a
DS Breakdown Tension-Min	20V
Évaluation énergétique de l'avalanche (EAS)	11 MJ
Dissipation de puissance-max (ABS)	1.3W
Statut ROHS	Conforme aux non-Rohs

Schéma de blocage

Informations sur bande et bobine

Applications

Appareils numériques 3C

Dans la sphère des appareils numériques 3C (ordinateur, communication, consommateur), l'IRRML6402 améliore intensément l'efficacité énergétique et la réactivité des appareils.Les smartphones, les ordinateurs portables et les caméras numériques, par exemple, dépendent de transistors à basse tension pour augmenter la durée de vie de la batterie et optimiser les performances.Cela conduit à une amélioration des expériences, évidente dans les capacités multitâches sans couture des appareils actuels.L'expérience a montré que grâce à la sélection des composants stratégiques, les fabricants obtiennent une harmonie entre l'utilisation de puissance et la durabilité des appareils.

Électronique médicale

Dans l'électronique médicale, l'IRRML6402 se distingue par sa fiabilité et sa précision.Les instruments tels que les machines à ultrasons portables et les systèmes de surveillance des patients nécessitent des lectures précises sous des charges variables, où une alimentation stable est cruciale.Les informations provenant des applications pratiques indiquent que l'utilisation de composants robustes améliore non seulement les capacités des dispositifs mais favorise également la confiance dans les progrès médicaux.

Internet des objets (IoT)

L'Internet des objets remodèle les paysages technologiques, le IRLML6402 jouant un rôle majeur.À mesure que les appareils IoT se multiplient dans les maisons et les industries intelligentes, la gestion efficace de l'alimentation devient un must.Ce composant aide à réduire la consommation d'énergie tout en améliorant la connectivité et la réactivité.Les observations suggèrent qu'une stratégie cohésive de consommation d'énergie aux côtés de conception innovante favorise les dispositifs qui sont non seulement efficaces mais qui favorisent également la durabilité.

Nouvelles solutions énergétiques

Dans de nouvelles solutions énergétiques, telles que les onduleurs solaires et les contrôleurs d'éoliennes, l'IRLML6402 facilite la conversion et la gestion efficaces de l'énergie.Alors que le monde penche vers les énergies renouvelables, l'utilisation d'appareils qui minimisent les pertes de puissance peuvent accélérer la transition.Les apprentissages pratiques indiquent que l'augmentation de l'efficacité du système contribue considérablement à la conservation de l'énergie et à la fiabilité du système, mettant l'accent sur le rôle de ces composants dans les efforts de durabilité.

Systèmes de batterie

La compatibilité de l'IRRML6402 avec divers systèmes de batterie, comme le lithium-ion et l'hydrure de nickel-metal, est remarquable.Il est utile pour les systèmes de gestion de la batterie nécessitant un contrôle précis sur les processus de charge et de décharge.Les scénarios réels mettent en évidence la signification du choix des transistors appropriés pour prolonger la durée de vie de la batterie tout en garantissant la sécurité.Cette compréhension exacte de la technologie des batteries entraîne des sélections de conception qui conduisent à des performances et à une épanouissement améliorées de vos attentes.

Gestion des charges

Pour la gestion des charges, l'IRRML6402 offre des avantages notables dans le contrôle de la distribution d'énergie entre les circuits.Il facilite une allocation d'énergie efficace tout en évitant les surcharges du système, empêchant ainsi les échecs.Les informations des systèmes de distribution d'énergie révèlent que la gestion stratégique de la charge améliore la résilience globale du système, présentant la capacité du composant à soutenir la distribution d'énergie équilibrée.

Électronique portable

Dans l'électronique portable, la conception légère et compacte de l'IRRML6402 permet des configurations de produits innovantes sans sacrifier les performances.Les vêtements portables et les chargeurs portables bénéficient de capacités de commutation rapides, aboutissant à une consommation d'énergie plus faible.Les expériences de conception démontrent que la participation à vos préférences peut orienter le choix et l'arrangement optimaux des composants dans les produits.

Cartes pcmcia

Dans les applications de la carte PCMCIA, l'IRRML6402 augmente les options de connectivité tout en maintenant une utilisation minimale de puissance.Cette flexibilité est active pour les appareils exigeant une bande passante élevée et une adaptabilité.L'avancement continu des technologies de la communication exige des composants qui peuvent suivre les progrès rapides, illustrant l'avantage de la sélection des composants sages.

Circuits-commandes soucieuses de l'espace

Pour les conceptions de la carte de circuit imprimé dans l'espace, l'IRRML6402 est principalement adapté, étant donné la prime sur l'immobilier.Son efficacité permet des densités de performances plus élevées, une nécessité en électronique compacte.L'adaptation des dispositions de la carte de circuit imprimé montre que la planification méticuleuse et le choix des composants peuvent produire des appareils plus petits et plus puissants sans compromettre la fonction.

Applications de commutation CC

Dans les applications de commutation CC, l'IRLL6402 excelle en offrant des solutions de commutation rapides et fiables.Ses traits opérationnels peuvent conduire à des conceptions de circuits supérieurs améliorant la vitesse et l'efficacité.Les observations sur le terrain suggèrent que la compréhension des demandes de commutation permet la création de circuits qui répondent à vos attentes tout en maximisant l'efficacité opérationnelle.

Commutation de charge

Le rôle de l'IRLML6402 dans la commutation de charge met en évidence sa flexibilité.Il assure un contrôle efficace sur la distribution d'énergie dans divers systèmes, actif pour l'intégrité du système.Les anecdotes de l'industrie indiquent que l'optimisation de la commutation de charge peut entraîner des économies d'énergie considérables et une durée de vie prolongée des dispositifs, renforçant sa signification dans l'électronique contemporaine.

Emballer

Fabricant

Le 1er avril 1999, Siemens Semiconductors a connu un changement de marque transformateur, adoptant le nom Infineon Technologies.Ce changement représentait un engagement significatif en matière de compétitivité dans le paysage en microélectronique en constante évolution.Infineon est devenu un concepteur et fabricant de premier plan, présentant un portefeuille diversifié de produits conçus pour diverses applications, y compris des dispositifs logiques, des circuits intégrés de signal mixte et analogiques et des offres de semi-conducteurs discrètes.

Le secteur de la microélectronique est défini par un cycle constant d'innovation, tiré par la demande croissante de solutions électroniques avancées.Infineon démontre une conscience aiguë de la dynamique actuelle du marché, se concentrant sur de graves segments de croissance tels que l'électronique automobile, l'automatisation industrielle et l'Internet des objets (IoT).Les entreprises qui exploitent efficacement les technologies émergentes, y compris l'IA et l'apprentissage automatique, se retrouvent souvent dans une position avantageuse pour évoluer et prospérer.Les investissements ciblés d'Infineon dans la recherche et le développement témoignent de son ambition de mener la charge dans la création des innovations de semi-conducteurs de nouvelle génération.