Épingle |
Description |
1 |
Base |
2 |
Émetteur |
3 |
Collectionneur |
Le BFS20 est un transistor NPN robuste fabriqué avec une précision pour les applications de fréquence moyenne.Enveloppé dans un ensemble en plastique SOT23, il s'intègre de manière transparente dans des conceptions de circuits innovantes, complétant vos aspirations à des solutions économes en espace.Cet emballage insuffle efficacement le transistor, mais améliore la gestion thermique, un facteur qui résonne avec ceux qui s'efforcent d'optimiser les performances et la longévité dans les systèmes électroniques.
Le transistor est marqué par un gain de courant modéré associé à une réponse en fréquence finement réglée, bien adaptée à des applications diverses dans les circuits analogiques et de commutation.Il facilite l'amplification efficace du signal et la commutation transparente, s'alignant sur la poursuite des performances électroniques maximales à travers différents contextes.Le talent du BFS20 pour ces opérations est souvent né de choix de conception minutieux, de favoriser la stabilité et de fiabilité inébranlable.
En pratique, ce transistor NPN se trouve fréquemment au cœur des systèmes de gestion de l'énergie, des amplificateurs RF et des équipements audio.Il offre un mélange épanouissant de performances et d'abordabilité, similaire au processus de prise de décision astucieux pour répondre à des références de performance détaillées tout en restant conscients des réalités budgétaires.Ces pratiques mettent l'accent sur l'équilibre complexe requis dans la sélection des composants en ingénierie.
Fonctionnalité |
Spécification |
IC (max) |
25 mA |
Vceo (max) |
20 V |
Capacité de rétroaction |
(typ.350 ff) (très bas) |
Le transistor BFS20 est basique à des applications de fréquence intermédiaire (IF) et de fréquence très élevée (VHF).Ses performances inébranlables soutiennent son rôle dans une gamme de technologies de circuit, des types d'épaisses à des couches minces.Envisagez des communications radio;Le BFS20 assure l'intégrité du signal et amplifie sans distorsion substantielle, améliorant la clarté.Il est également utilisé dans la diffusion télévisée et les communications par satellite pour une gestion précise des fréquences.
L'intégration du BFS20 dans les technologies de circuit à couches épaisses et minces améliore les performances dans des paramètres variés.Les technologies à film épais bénéficient de la durabilité et de l'efficacité du transistor dans des contextes de haute puissance.En revanche, les applications à couches minces capitalisent sur sa précision, ce qui le rend idéal pour les appareils électroniques compacts.Cette intégration stimule souvent les conceptions innovantes et prolonge la durée de vie des appareils.
• BFS20,235
Nexperia, lancé en 2017, a sculpté un créneau notable dans l'arène des semi-conducteurs avec son expertise en discret, logique et MOSFET.La société présente ses prouesses grâce à une capacité de production étonnante de 85 milliards d'unités par an, où la précision de la qualité et de l'efficacité rationalisée est dominante.Un engagement envers les normes automobiles est subtilement lié dans leurs conceptions ingénieuses de petits emballages, assurant une puissance optimisée et des efficacités thermiques.
Les opérations mondiales de Nexperia couvrent les grandes régions, notamment l'Asie, l'Europe et les États-Unis, employant une main-d'œuvre talentueuse de 11 000 personnes.Cette portée répandue leur permet de répondre à une clientèle de grande envergure, répondant à justement les besoins localisés.Une équipe internationale diversifiée fournit une riche tapisserie de perspectives et de connaissances spécialisées, alimentant l'innovation et améliorant l'adaptabilité de l'organisation.
L'accent mis par l'entreprise sur la technologie d'emballage de pointe souligne sa poursuite pour redéfinir la gestion et la miniaturisation de l'alimentation.L'alignement de leurs produits sur les critères automobiles rigoureux garantit la fiabilité et les performances, les traits qui résonnent profondément dans le secteur de l'électronique exigeant.
Voici un tableau résumant les spécifications du transistor Nexperia USA Inc. BFS20,235.
Taper |
Paramètre |
Délai d'usine |
4 semaines |
Placage de contact |
Étain |
Monter |
Support de surface |
Type de montage |
Support de surface |
Package / étui |
À 236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Nombre d'épingles |
3 |
Matériau d'élément transistor |
Silicium |
Tension de panne de collecteur-émetteur (VCEO) |
20V |
Nombre d'éléments |
1 |
Température de fonctionnement |
150 ° C TJ |
Conditionnement |
Ruban adhésif (TR) |
Série |
Automobile, AEC-Q101 |
Publié |
2009 |
Code JESD-609 |
E3 |
Statut de partie |
Actif |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (illimité) |
Nombre de terminaisons |
3 |
Code ECCN |
EAR99 |
Dissipation de puissance maximale |
250mw |
Position terminale |
Double |
Forme terminale |
Aile |
Température de reflux maximale |
260 ° C |
Fréquence |
450 MHz |
Temps @ Peak Reflow Temperature-max (s) |
40 |
Numéro de pièce de base |
BFS20 |
Comptage des broches |
3 |
Configuration des éléments |
Célibataire |
Dissipation de puissance |
250mw |
Gagnez le produit de bande passante |
450 MHz |
Type de polarité / canal |
NPN |
Type de transistor |
NPN |
Courant de collecteur maximum |
25m |
Gain de courant CC (hfe) (min) @ ic, vce |
40 @ 7mA, 10V |
Courant - coupure de collecteur (max) |
100NA ICBO |
Fréquence de transition |
450 MHz |
Tension de panne maximale |
20V |
Tension de base du collecteur (VCBO) |
30V |
Tension de base d'émetteur (VEBO) |
4V |
Courant de collecteur continu |
25m |
Durcissement des rayonnements |
Non |
Statut ROHS |
ROHS3 conforme |
Numéro de pièce |
BFS20,235 |
BFR94A, 215 |
MSC2295-BT1G |
MSC2295-CT1G |
MSC2295-CT1 |
Fabricant |
Nexperia USA Inc. |
NXP USA Inc. |
En semi-conducteur |
En semi-conducteur |
En semi-conducteur |
Monter |
Support de surface |
Support de surface |
Support de surface |
Support de surface |
Support de surface |
Package / étui |
À 236-3, SC-59, ... |
À 236-3, SC-59, ... |
À 236-3, SC-59, ... |
À 236-3, SC-59, ... |
À 236-3, SC-59, ... |
Tension de répartition des émetteurs de collection |
20 V |
20 V |
20 V |
20 V |
- |
Courant de collecteur maximum |
25 mA |
30 mA |
30 mA |
30 mA |
- |
Fréquence de transition |
450 MHz |
150 MHz |
150 MHz |
150 MHz |
- |
Dissipation de puissance maximale |
250 MW |
200 MW |
200 MW |
200 MW |
- |
Dissipation de puissance |
250 MW |
- |
- |
- |
- |
Type de montage |
Support de surface |
Support de surface |
Support de surface |
Support de surface |
Support de surface |
Veuillez envoyer une demande, nous répondrons immédiatement.
BFS20 est un transistor de fréquence moyenne NPN logé dans un ensemble en plastique SOT23 élégant.Cet emballage compact simplifie l'intégration dans une large gamme de systèmes électroniques, garantissant à la fois la robustesse et la gestion thermique efficace.La flexibilité offerte par le package SOT23 signifie que BFS20 peut s'adapter de manière transparente à divers conceptions de circuits.Que ce soit utilisé dans l'électronique grand public ou les systèmes automobiles, sa capacité à répondre à diverses demandes d'application souligne sa polyvalence substantielle.
Les transistors à jonction bipolaire (BJTS) jouent un rôle majeur dans les circuits électroniques, fonctionnant largement comme des commutateurs et des amplificateurs.Les BJTS excellent dans l'amplification du signal, de base pour améliorer la force du signal.Ils sont efficaces pour filtrer le bruit, assurant des chemins de signal plus propres.Dans les tâches de rectification de puissance, les BJT gèrent la conversion et le contrôle des courants électriques.En contrôlant le flux de courant à travers la base, les BJT modulent les courants plus grands entre l'émetteur et le collecteur.Ce contrôle précis est principalement évalué dans les secteurs des télécommunications et des équipements audio, où le maintien de la clarté et de la force du signal est de la plus haute importance.
Le fondement opérationnel des transistors à jonction bipolaire (BJTS) réside dans leurs deux jonctions P-N, qui sont prévues pour une amplification optimale du signal.Les BJT se composent de trois régions: la base, le collecteur et l'émetteur.L'interaction de ces régions facilite un contrôle efficace du mouvement des électrons et des trous.Cette capacité permet une amplification efficace du signal, grave dans des applications telles que les transmissions radio et l'amplification audio.La conception de BJTS en tant que périphériques contrôlés par le courant présente un niveau avancé d'ingénierie, atteignant les résultats électriques souhaités avec précision.La façon dont les BJT gèrent le flux électrique incarnent un mélange expert de raffinement technique et d'application pratique, garantissant leur fonctionnalité dans une myriade de dispositifs électroniques.
sur 2024/11/4
sur 2024/11/4
sur 1970/01/1 2933
sur 1970/01/1 2486
sur 1970/01/1 2079
sur 0400/11/8 1872
sur 1970/01/1 1759
sur 1970/01/1 1709
sur 1970/01/1 1649
sur 1970/01/1 1537
sur 1970/01/1 1532
sur 1970/01/1 1500