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Guide complet du MOSFET IRF530N

L'IRF530N, hors concours parmi les MOSFET de puissance du canal N, excelle dans les applications de gestion de l'alimentation grâce à sa conception robuste et à des performances efficaces.Enveloppé dans un package TO220AB, ce composant trouve une utilisation approfondie dans une variété de systèmes électriques et électroniques, des contrôleurs de moteur aux alimentations et au-delà.Cet article approfondit les spécifications de l'IRF530N, la configuration des broches et les applications pratiques, offrant des informations sur ses forces opérationnelles et ses caractéristiques uniques.Avec sa capacité à gérer efficacement les courants et les tensions élevés, l'IRF530N est un choix préféré pour vous visant à optimiser les performances du circuit et à obtenir une gestion fiable de l'alimentation dans l'électronique moderne.

Catalogue

Présentation IRF530N

Le IRF530N est un MOSFET de puissance en n canal, enfermé dans un package de plomb TO220AB, adapté à diverses applications dans divers secteurs.Tirant parti de la technologie avancée en silicium, elle appartient à la série IR Power MOSFET, répondant à une gamme d'exigences dans des zones telles que la commande de moteur CC, les onduleurs, les alimentations en mode commutateur (SMPS), les systèmes de foudre, les commutateurs et les appareils alimentés par batterie.Vous pouvez choisir entre les configurations de montage de surface et de trou à travers, unifiées par empreintes standardisées.

L'architecture de l'IRF530N se concentre sur la fourniture d'efficacité et de fiabilité, critères de base en électronique de puissance.Adouflé pour des performances durables, il assume un rôle substantiel dans la réduction de la perte de puissance et la gestion des conditions thermiques.Lors de l'intégration de l'IRF530N, les praticiens, en tirant souvent de leur richesse d'expérience, naviguez dans les complexités de l'équilibre entre la vitesse de commutation avec des contraintes thermiques pour améliorer les performances tout en protégeant la stabilité du système.

Disposition et configuration des broches

PIN N °	Description
1	Grille
2	Vidange
3	Source
Languette	Vidange

Modèle CAO

Symbole

Empreinte

Modèle 3D

Détails techniques

Spécifications techniques et attributs pour NXP USA Inc. IRF530N, 127 MOSFET.

Taper	Paramètre
Type de montage	Par le trou
Package / étui	À 220-3
Support de surface	Non
Matériau d'élément transistor	Silicium
Courant - drain continu (id) @ 25 ℃	17A TC
Tension d'entraînement (max RDS sur, min RDS)	10V
Nombre d'éléments	1
Dissipation de puissance (max)	79W TC
Température de fonctionnement	-55 ° C ~ 175 ° C TJ
Conditionnement	Tube
Série	TRENCHMOS ™
Publié	1999
Code JESD-609	E3
Statut de partie	Obsolète
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (illimité)
Nombre de terminaisons	3
Code ECCN	EAR99
Finition terminale	Étain mat (sn)
Position terminale	Célibataire
Température de reflux maximale (CEL)	Non spécifié
Atteignez le code de conformité	Inconnu
Temps @ Peak Reflow Temperature-max (s)	Non spécifié
Comptage des broches	3
Code JESD-30	R-PSFM-T3
Statut de qualification	Pas qualifié
Configuration	Single avec diode intégrée
Mode de fonctionnement	Mode d'amélioration
Connexion	Vidange
Type FET	Channel n
Application de transistor	Commutation
Rds sur (max) @ id, vgs	110mΩ @ 9a, 10v
Vgs (th) (max) @ id	4V @ 1MA
Capacité d'entrée (CISS) (max) @ VDS	633pf @ 25v
Charge de porte (qg) (max) @ vgs	40nc @ 10v
Égoutter la tension de la source (VDSS)	100V
VGS (max)	± 20V
Code JEDEC-95	À 220AB
Égoutter le courant-max (ABS) (ID)	17A
Drainage-source sur la résistance-max	0,11Ω
Courant de drain pulsé-max (IDM)	68a
DS Breakdown Tension-Min	100V
Évaluation énergétique de l'avalanche (EAS)	150mJ
Statut ROHS	ROHS3 conforme

Caractéristiques

Fonctionnalité	Description
Structure des cellules planes	Grande zone d'exploitation sûre (SOA)
Grande disponibilité	Optimisé pour les partenaires de distribution
Qualification du produit	Qualifié selon la norme Jedec
Optimisation de commutation	Conçu pour les applications commutant ci-dessous <100kHz
Type de package	Ensemble d'énergie à travers le trou de l'industrie
Note actuelle	Cote de courant élevé

Avantages

Longévité et fiabilité impressionnantes

Le MOSFET IRF530N est réputé pour sa capacité à supporter des environnements difficiles, prospérant dans des applications qui exigent la fiabilité et la durée de vie prolongée.Vous pouvez rechercher des performances et une durabilité prolongées et graviter souvent vers ce composant.Dans divers systèmes, ces qualités aident à minimiser les efforts de maintenance, réduisant ainsi les perturbations des opérations et favorisant un flux de travail plus stable.

Accessibilité globale étendue

Une caractéristique notable de l'IRF530N est sa présence approfondie sur le marché, offrant un accès cohérent à ce composant dans le monde.Cette accessibilité facilite son intégration dans plusieurs projets, contribuant à atténuer les retards habituels rencontrés lors de l'acquisition de pièces électroniques spécifiques.Cette portée mondiale permet également aux entreprises de respecter étroitement les délais de production, d'améliorer la gestion de projet et de garantir la livraison en temps opportun.

Flexibilité et adaptabilité

L'adaptabilité de l'IRF530N avec des appareils comparables offre une flexibilité de conception utile pendant les substitutions ou les mises à jour des composants, réduisant l'impact des incertitudes de la chaîne d'approvisionnement.Il est principalement habile à gérer les applications à courant élevé, ce qui en fait un atout précieux dans des zones telles que les alimentations et le contrôle du moteur.Cela se traduit par des performances électriques supérieures et une gestion de l'énergie, renforçant l'efficacité et la durabilité environnementale des systèmes techniques.

Opération supérieure dans des contextes à basse fréquence

Le MOSFET IRF530N brille dans des scénarios à basse fréquence, s'avérant bénéfiques pour les applications spécialisées où la précision de fréquence est moins préoccupante.Son utilisation dans les systèmes d'amplification audio et de régulation de l'énergie souligne son importance, offrant une stabilité dans les performances à basse fréquence.Vous pouvez atteindre un calibre plus élevé de qualité et de cohérence de sortie en intégrant l'IRF530N, en garantissant une satisfaction et une fiabilité solides de votre point de vue.

Applications

Le MOSFET IRF530N joue un rôle majeur dans les circuits électroniques, en particulier dans des domaines comme la conversion DC-DC et les alimentations en mode commuté.Ces applications mettent l'accent sur son aptitude à gérer les tâches de commutation à grande vitesse et à réguler le flux de puissance.

Conversion DC-DC

Les convertisseurs DC-DC servent de squelette de nombreux dispositifs électroniques, permettant les ajustements de tension requis pour répondre à divers besoins opérationnels.L'IRF530N excelle dans les configurations Buck, Boost et Buck-Boost, présentant son adaptabilité.Un examen plus approfondi révèle ses prouesses dans l'optimisation de la consommation d'énergie, un aspect actif de l'électronique portable.Par exemple, lorsqu'il est implémenté dans un module de régulateur de tension, l'IRF530N facilite le contrôle de tension précis avec une dissipation d'énergie minimale, améliorant ainsi la longévité de la batterie des appareils mobiles.

Alimentation en mode commuté

Dans le monde des alimentations en mode commuté (SMPS), les MOSFET comme l'IRF530N sont essentiels pour leurs prouesses dans la conversion efficace de la puissance.L'IRF530N, avec sa faible résistance à l'état et ses capacités de commutation rapide, minimise le débit de chaleur, l'optimisation de l'efficacité pour les environnements compacts et sensibles à la chaleur.Les preuves des applications industrielles indiquent que dans les scénarios où les besoins en puissance sont dynamiques, l'IRF530N peut réduire les dépenses opérationnelles et renforcer la fiabilité des systèmes électriques, garantissant des performances cohérentes dans diverses charges électriques.

Examiner les circuits électriques

Dimensions du package

Fabricant

Les semi-conducteurs NXP illustrent une force principale dans la façonnage des solutions de connectivité sécurisées, les technologies de progression habilement qui améliorent et rassurent subtilement la simplicité et la sécurité de la vie quotidienne.Enraciné à l'intersection de l'innovation et des connaissances profondes de l'industrie, NXP utilise six décennies de perspicacité pour manœuvrer habilement par la domination complexe des paysages technologiques d'aujourd'hui.Opérant dans plus de 35 pays, la société s'appuie sur les talents de 45 000 professionnels dévoués, chacun contribuant à un tissu organisationnel dynamique et ingénieux.L'ajout de semi-conducteur de Freescale au portefeuille commercial de NXP en décembre 2015 a été un développement tactique, augmentant considérablement leurs prouesses technologiques.Cette fusion a permis à NXP d'incorporer un éventail plus large d'expertise, en particulier dans le raffinement de sa maîtrise des domaines de la technologie automobile, des consommateurs et des technologies industrielles.Cette fusion reflète un schéma de l'industrie plus large où la combinaison de la compréhension technologique diversifiée joue un rôle dynamique dans le maintien d'une position compétitive.