Le 2N2218 est un transistor de silicium NPN adaptable enfermé dans un ensemble de métal JEDEC TO-39, fabriqué avec une technologie planaire épitaxiale.Ce choix de conception améliore sa fiabilité et son efficacité à travers plusieurs utilisations.Il est adapté aux applications de commutation rapide, gérant habilement les courants de collecteur jusqu'à 500 mA, ce qui le rend idéal pour les circuits qui exigent une réponse rapide et une cohérence.Les utilisations pratiques comprennent des circuits de synchronisation et des circuits de génération d'impulsions, où le besoin de vitesse et de fiabilité est dominant.Le 2N2218 brille dans sa capacité à fournir un fort gain de courant sur un large éventail de courants opérationnels, offrant à la fois la fiabilité et l'efficacité.Ceci est spécifiquement avantageux dans les circuits d'amplification où un gain constant est souhaité.Un aspect attrayant du 2N2218 est sa faible fuite et sa tension de saturation réduite, favorisant un fonctionnement efficace et minimisant la dissipation de puissance inutile.Cela améliore la fonction globale du circuit, une qualité très appréciée dans les considérations de conception.
Épingle no |
Nom de broche |
1 |
Émetteur |
2 |
Base |
3 |
Collectionneur |
Taper |
Paramètre |
Statut de cycle de vie |
En production (dernière mise à jour: il y a 1 mois) |
Délai d'usine |
22 semaines |
Monter |
Par le trou |
Type de montage |
Par le trou |
Package / étui |
To-205ad, to-39-3 métal can |
Nombre d'épingles |
3 |
Package de périphérique fournisseur |
To-39 (to-205ad) |
Actuel-collecteur (IC) (max) |
800mA |
Nombre d'éléments |
1 |
Température de fonctionnement |
-55 ° C ~ 200 ° C TJ |
Conditionnement |
En gros |
Publié |
2007 |
Statut de partie |
Interrompu |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (illimité) |
Température de fonctionnement maximale |
200 ° C |
Température de fonctionnement min |
-55 ° C |
Dissipation de puissance maximale |
800mw |
Polarité |
NPN |
Dissipation de puissance |
800mw |
Power - Max |
800mw |
Type de transistor |
NPN |
Tension de l'émetteur collecteur (VCEO) |
30V |
Courant de collecteur maximum |
800mA |
Gain de courant CC (hfe) (min) @ ic, vce |
40 @ 150mA 10V |
Courant - coupure de collecteur (max) |
10na |
VCE SATURATION (MAX) @ IB, IC |
1,6 V @ 50mA, 500mA |
Tension - Répartition des émetteurs de collection (max) |
30V |
Tension de base du collecteur (VCBO) |
60V |
Tension de base d'émetteur (VEBO) |
5V |
Durcissement des rayonnements |
Non |
Statut ROHS |
Conforme aux non-Rohs |
Fonctionnalité |
Spécification |
Taper |
NPN |
Tension collector-émetteur (VCE) |
30 V |
Tension collector-base (VCB) |
60 V |
Tension de base d'émetteur (VEB) |
5 V |
Courant du collecteur (IC) |
0,8 a |
Dissie du collecteur (PC) |
0,8 W |
Gain de courant CC (HFE) |
40 à 120 |
Fréquence de transition (FT) |
250 MHz |
Température de fonctionnement et de stockage |
-65 à +200 ° C |
Emballer |
To-39 |
- 2N2219
- 2N4237
- NTE123
- 2N2219A
Le transistor 2N2218 excelle dans une commutation à grande vitesse en raison de sa capacité de réponse rapide.Gestionnant la tension rapide et les changements de courant, il convient aux systèmes qui prospèrent en cyclisme rapide.Souvent intégré dans les circuits de contrôle automatisés, il stimule les prouesses opérationnelles, garantissant un timing précis.Dans l'automatisation industrielle et la robotique, où la rapidité offre un avantage distinct, ce trait devient principalement précieux.
Dans les domaines audio et du signal, le 2N2218 amplifie avec la clarté, améliorant efficacement les entrées faibles.Sa linéarité minimise la distorsion, augmentant la qualité sonore.Dans les paramètres audio en direct et les studios d'enregistrement, le transistor sauvegarde l'intégrité sonne, enrichissant votre expérience et votre calibre de production.Son design robuste répond à une période de besoins d'amplification, des boosts rudimentaires à l'interfaçage audio complexe.
Les circuits RF nécessitent des composants qui maintiennent les performances à haute fréquence de manière transparente.Le 2N2218 offre la stabilité et la fiabilité requises dans les systèmes RF.Il est clé dans les dispositifs de communication sans fil pour préserver la clarté du signal entre les fréquences.Vous pouvez le favoriser dans des amplificateurs RF pour assurer une sortie régulière et une réduction du bruit, en soutenant la demande de connectivité sans faille.
Utilisé dans Darlington Pairs, le 2N2218 améliore considérablement le gain actuel, apte aux charges plus élevées.Commun dans les commandes de moteur et les circuits de puissance, cette configuration gère efficacement le flux de courant, minimisant les solutions de dissipation de chaleur volumineuses.Vous pouvez exploiter ces paires pour une gestion compacte et efficace de l'alimentation, l'optimisation des facteurs spatiaux et de performance.
La polyvalence du 2N2218 englobe un large éventail d'applications, répondant à divers besoins en circuit.Sa nature adaptable en fait un pilier dans les expériences et le développement de prototypes, offrant un terrain de test digne de confiance pour les innovations.En pratique, vous pouvez apprécier sa flexibilité, soutenant tout, des petits gadgets aux circuits complexes, affirmant son attrait durable dans plusieurs arènes.
Numéro de pièce |
Fabricant |
Monter |
Package / étui |
Polarité |
Tension - émetteur de collection
Déchange (max) |
Courant de collecteur maximum |
Dissipation de puissance maximale |
Dissipation de puissance |
Niveau de sensibilité à l'humidité
(MSL) |
Voir comparer |
2N2218 |
Microsemi Corporation |
Par le trou |
To-205ad, to-39-3 métal can |
NPN |
30V |
800 mA |
800 MW |
800 MW |
1 (illimité) |
2N2218 VS 2N2219A |
2N2219A |
Microsemi Corporation |
Par le trou |
To-205ad, to-39-3 métal can |
NPN |
50v |
800 mA |
800 MW |
800 MW |
1 (illimité) |
2N2218 VS 2N2219A |
Jantx2n2219a |
Microsemi Corporation |
Par le trou |
To-205ad, to-39-3 métal can |
NPN |
50v |
800 mA |
800 MW |
800 MW |
1 (illimité) |
2N2218 VS JANTX2N2219A |
Jan2N2219A |
Microsemi Corporation |
Par le trou |
To-205ad, to-39-3 métal can |
NPN |
50v |
800 mA |
800 MW |
800 MW |
1 (illimité) |
2N2218 vs Jan2N2219A |
Le transistor 2N2218, avec sa capacité à gérer jusqu'à 800mA, se prête bien à une variété d'applications.Il sert à alimenter des composants de haute puissance, à amplifier les signaux audio et à fonctionner efficacement dans les systèmes RF.Une attention particulière à la température de la jonction et à la gestion thermique devient majeure dans ces scénarios pour atténuer les risques de surchauffe.
Dans les applications pratiques, la gestion de la distribution actuelle et de la dissipation de chaleur pour le 2N2218 nécessite une attention aux détails et une approche réfléchie.Vous pouvez souvent compter sur les dissipateurs de chaleur ou les ventilateurs de refroidissement pour maintenir les températures propices à un fonctionnement optimal.En outre, les conditions environnementales ambiantes jouent un rôle substantiel, affectant profondément les performances et la sécurité du transistor, garantissant une compréhension imprégnée d'expérience.
• Amplification du signal audio: Dans le monde de l'amplification audio, le 2N2218 excelle en raison de sa capacité à amplifier les signaux avec une distorsion minimale.Cela en fait une option attrayante pour ceux qui cherchent à améliorer la qualité sonore.En se concentrant sur la réalisation d'un équilibre harmonieux entre le gain et la bande passante, il est possible de réaliser une sortie audio qui est à la fois claire et puissante.
• Applications de la radiofréquence (RF): Les forces du 2N2218 dans les applications RF découlent de sa réponse et de sa stabilité à haute fréquence.Dans les circuits RF, une correspondance d'impédance méticuleuse et un blindage proactif sont nécessaires pour réduire la perte et les interférences.L'art de la conception RF combine des informations théoriques avec des tests méthodiques et des raffinements itératifs, mettant l'accent sur l'engagement de la performance de réglage fin.
Microsemi Corporation apparaît comme un contributeur remarquable aux innovations technologiques, en se concentrant en grande partie sur les industries de l'aérospatiale et de la défense.Ils se spécialisent dans l'élaboration de circuits intégrés de signal mixte à haute performance, d'outils de gestion de l'alimentation efficaces et de solutions RF fiables.Ces composants aident à s'assurer que les systèmes fonctionnent dans des conditions strictes, favorisant les progrès.
Les outils sophistiqués de gestion de la puissance de Microsemi répondent aux demandes actives de l'efficacité énergétique.Ils améliorent la consommation d'énergie tout en maintenant les performances - un équilibre délicat, en particulier dans les technologies de défense où l'accès à l'énergie peut influencer les résultats opérationnels.Comme le montre les tendances de l'industrie, une consommation d'énergie efficace augmente en importance pour le développement technologique durable.
Le 2N2218 est fabriqué pour exceller dans des scénarios de changement rapide, gérant les courants de collecteur jusqu'à 500 mA avec une efficacité remarquable dans le gain de courant.Il est souvent choisi pour les circuits nécessitant des transitions rapides, ce qui la rend précieuse dans la génération d'impulsions et les régulateurs de changements.Son incorporation transparente dans divers projets électroniques met fréquemment en évidence son adaptabilité et ses performances fiables.
Fonctionnant généralement à une tension collector-émetteur d'environ 28V, le 2N2218 assure des fonctionnalités stables sur diverses applications.Une utilisation appropriée dans ces limites de tension révèle sa résilience et son efficacité.Cette qualité vous apparaît principalement pendant les phases de prototypage et de test, ce qui a obtenu un signe de tête silencieux d'approbation pour sa fiabilité.
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