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Tout sur le MOSFET IRF530

L'IRF530, un MOSFET à canal N robuste, se démarque dans le domaine électronique de puissance pour sa faible capacité d'entrée et sa charge de porte réduite, améliorant son efficacité de commutation à grande vitesse et de gestion de l'alimentation.Idéal pour des applications telles que les alimentations, les commandes de moteur et la régulation de tension, l'IRF530 offre des performances fiables en minimisant la perte de puissance et la contrainte thermique, ce qui augmente la durabilité du système.Cet article fouille dans les spécifications de l'IRF530, la configuration des PIN, les avantages techniques et les applications diverses, vous offrant des informations à la recherche de performances optimisées dans des environnements exigeants.

Catalogue

Présentation IRF530

Le IRF530, un MOSFET à canal N à la pointe de la technologie, attire l'attention dans le paysage de l'électronique de puissance d'aujourd'hui en optimisant une capacité d'entrée et une charge de porte réduites.Cet attribut améliore son aptitude en tant que commutateur principal dans les convertisseurs DC-DC isolés sophistiqués à haute fréquence.Avec un besoin croissant de gestion efficace de l'énergie, des télécommunications et des systèmes informatiques reposent de plus en plus sur l'IRF530 pour faciliter leurs opérations dynamiques.

Exploitant un héritage des progrès de la technologie des semi-conducteurs, l'IRF530 offre une option digne de confiance pour les individus aspirant à augmenter les performances tout en minimisant les dépenses énergétiques.Il excelle dans la réduction de la perte de puissance grâce à des capacités de commutation supérieures, ce qui favorise la longévité et la stabilité des appareils intégrés.

Les spécifications de conception méticuleusement conçues de l'IRF530 s'adressent aux environnements avec des exigences rigoureuses d'efficacité énergétique, telles que les infrastructures de télécommunications et le matériel informatique.Vous pouvez valoriser sa capacité à offrir systématiquement une sortie fiable, même dans des scénarios à stress élevé.Cela devient majeur dans les centres de données, où trouver un équilibre dans la gestion thermique pose un défi notable.

Configuration de la broche

Modèle CAO

Symbole

Empreintes de pas

Visualisation 3D

Caractéristiques

Fonctionnalité	Spécification
Type de transistor	N Canal
Type de package	À 220AB et d'autres packages
Tension maximale appliquée (drain-source)	100 V
Tension de porte-porte maximale	± 20 V
Courant de vidange continu maximum	14 A
Courant de drain pulsé maximum	56 A
Dissipation de puissance maximale	79 W
Tension minimale à conduire	2 V à 4 V
Résistance à l'État maximum (Drain-source)	0,16 Ω
Température de stockage et de fonctionnement	-55 ° C à + 175 ° C

Avantages de l'application de l'IRF530

Paramètre	Description
RDS typiques (ON)	0,115 Ω
Évaluation dynamique DV / DT	Oui
Avalanche Technologie robuste	Amélioré Durabilité dans des conditions de stress élevé
Testé à 100% d'avalanche	Pleinement testé pour la fiabilité
Charge de porte basse	Nécessite puissance de conduite minimale
Capacité de courant élevé	Approprié pour les applications à courant élevé
Température de fonctionnement	175 ° C maximum
Commutation rapide	Rapide Réponse pour un fonctionnement efficace
Facilité de parallèle	Simplifier Conception avec MOSFET parallèle
Exigences de conduite simples	Réduit complexité dans les circuits d'entraînement

Spécifications techniques

Taper	Paramètre
Monter	À travers Trou
Montage Taper	À travers Trou
Emballer / Cas	À 220-3
Transistor Matériau élémentaire	SILICIUM
Actuel - drain continu (id) @ 25 ℃	14A TC
Conduire Tension (max rds on, min rds on)	10V
Nombre des éléments	1
Pouvoir Dissipation (max)	60W TC
Tourner Temps de retard	32 ns
Opération Température	-55 ° C ~ 175 ° C TJ
Conditionnement	Tube
Série	Stripfet ™ Ii
JESD-609 Code	E3
Partie Statut	Obsolète
Humidité Niveau de sensibilité (MSL)	1 (Illimité)
Nombre des terminaisons	3
ECCN Code	EAR99
Terminal Finition	Mat Étain (sn)
Tension - DC classé	100V
Culminer Température de reflux (CEL)	PAS SPÉCIFIÉ
Atteindre Code de conformité	not_compliant
Actuel Notation	14A
Temps @ Température de reflux de pointe - Max (s)	PAS SPÉCIFIÉ
Base Numéro de pièce	IRF5
Épingle Compter	3
JESD-30 Code	R-PSFM-T3
Qualification Statut	Pas Qualifié
Élément Configuration	Célibataire
Opération Mode	RENFORCEMENT MODE
Pouvoir Dissipation	60W
Fet Taper	Channel n
Transistor Application	Commutation
RDS Sur (max) @ id, vgs	160mΩ @ 7a, 10v
VGS (TH) (Max) @ id	4V @ 250μA
Saisir Capacité (ciss) (max) @ vds	458pf @ 25v
Grille Charge (qg) (max) @ vgs	21NC @ 10v
Augmenter Temps	25ns
Vgs (Max)	± 20V
Automne Temps (Typ)	8 ns
Continu Désus de vidage (ID)	14A
JEDEC-95 Code	À 220AB
Grille à la tension source (VGS)	20V
Vidange à la tension de panne de source	100V
Pulsé Courant de vidange - Max (IDM)	56a
Avalanche Note énergétique (EAS)	70 MJ
Rohs Statut	Non-rochs Conforme
Plomb Gratuit	Contient Plomb

Alternatives à l'IRF530

Numéro de pièce	Description	Fabricant
IRF530F	Pouvoir Transistor à effet champ, 100v, 0,16 ohm, 1 élément, canal n, silicium, Fet semi-conducteur en oxyde de métal, à 220AB	International Redresseur
IRF530	Pouvoir Transistor à effet de champ, canal n, FET semi-conducteur en oxyde de métal	Thomson Électronique grand public
Irf530pbf	Pouvoir Transistor à effet champ, 100v, 0,16 ohm, 1 élément, canal n, silicium, Fet semi-conducteur en oxyde de métal, à 220AB	International Redresseur
Irf530pbf	Pouvoir Transistor à effet champ, 14a (id), 100v, 0,16 ohm, 1 éléments, n canal, Silicon, Fet semi-conducteur en oxyde de métal, à 220AB, ROHS Package conforme-3	Vishay Intertechnologies
SIHF530-E3	Transistor 14A, 100V, 0,16OHM, N-Channel, SI, puissance, MOSFET, TO-220AB, ROHS conforme, À 220, 3 broches, puissance générale FET	Vishay Siliconix
Irf530fx	Pouvoir Transistor à effet champ, 100v, 0,16 ohm, 1 élément, canal n, silicium, Fet semi-conducteur en oxyde de métal, à 220AB	Vishay Intertechnologies
Irf530fxpbf	Pouvoir Transistor à effet champ, 100v, 0,16 ohm, 1 élément, canal n, silicium, Fet semi-conducteur en oxyde de métal, à 220AB	Vishay Intertechnologies
Sihf530	Transistor 14A, 100V, 0,16OHM, N-canal, Si, puissance, MOSFET, à 220AB, à 220, 3 broches, FET PUISSANCE GÉNÉRAL	Vishay Siliconix
Irf530fp	10a, 600V, 0,16Ohm, N-canal, Si, puissance, MOSFET, à 220FP, 3 broches	Stmicroelectronics

Examen du circuit d'évaluation IRF530

Charge inductive non liée

Temps de commutation avec charge résistive

Évaluation des charges de porte

Applications

Systèmes d'alimentation

L'IRF530 excelle dans les environnements avec des demandes de courant élevées, ce qui le rend exceptionnellement adapté aux alimentations sans interruption (UPS).Sa compétence dans la gestion des actions de commutation rapide améliore à la fois l'efficacité et la fiabilité.Dans les scénarios réels, tirer parti des capacités de ce MOSFET aide à éviter les interruptions de puissance et à maintenir la stabilité lors des pannes imprévues, un aspect que vous chérissez lorsque vous visez à protéger les opérations de base.

Mécanismes d'actionnement

Dans les applications de solénoïde et de relais, l'IRF530 est très bénéfique.Il gère précisément les pics de tension et le flux de courant, garantissant une activation précise dans les systèmes industriels.Vous pouvez être qualifié d'actionnement mécanique et apprécier ces qualités pour stimuler la réactivité des machines et prolonger la durée de vie opérationnelle.

Réglementation de tension et technologies de conversion

L'IRF530 est un composant formidable pour la régulation de tension et les conversions DC-DC et DC-AC.Son rôle dans l'optimisation de la conversion de puissance est inestimable, en particulier dans les systèmes d'énergie renouvelable où l'efficacité peut amplifier considérablement la puissance de sortie.Vous pouvez souvent creuser dans les subtilités de la modulation de tension pour améliorer l'efficacité de la conversion et favoriser la durabilité du système.

Applications de contrôle du moteur

Dans les applications de contrôle moteur, l'IRF530 est nécessaire.Sa gamme s'étend des véhicules électriques à la fabrication de la robotique, facilitant la modulation précise de la vitesse et la gestion du couple.Vous pouvez fréquemment déployer ce composant, en tirant parti de ses traits à commutation rapide pour renforcer les performances tout en conservant l'énergie.

Amplification audio et électronique automobile

Dans les systèmes audio, l'IRF530 minimise la distorsion et gère la sortie thermique, garantissant que les signaux sonores sont à la fois clairs et amplifiables.Dans l'électronique automobile, il gère les fonctions de base comme l'injection de carburant, les systèmes de freinage tels que l'ABS, le déploiement de l'airbag et le contrôle d'éclairage.Vous pouvez affiner ces applications, fabriquant des véhicules à la fois plus sûrs et plus réactifs.

Systèmes de gestion des batteries et d'énergie renouvelable

L'IRF530 s'avère utilisé dans la charge et la gestion des batteries, sous-tendant une allocation et un stockage d'énergie efficaces.Dans les installations d'énergie solaire, il atténue les fluctuations et maximise la capture d'énergie, résonnant avec des objectifs énergétiques durables.Dans la gestion de l'énergie, vous pouvez tirer parti de ces capacités pour optimiser la longévité de la batterie et améliorer l'intégration du système.

Aperçu de l'emballage de l'IRF530

Conception de package IRF530

Spécifications mécaniques de l'IRF530

Fabricant

Stmicroelectronics est un leader de la sphère semi-conducteurs, exploitant sa connaissance profondément enracinée de la technologie du silicium et des systèmes avancés.Cette expertise, combinée à une substantielle de la propriété intellectuelle, propulse les innovations dans la technologie du système sur puce (SOC).En tant qu'entité clé dans le domaine en constante évolution de la microélectronique, la société agit comme un catalyseur pour la transformation et le progrès.

En capitalisant sur son vaste portefeuille, Stmicroelectronics s'aventure constamment dans un nouveau domaine de conception de puces, brouillant les frontières entre la possibilité et la réalité.Le dévouement inébranlable de l'entreprise à la recherche et au développement alimente l'intégration transparente de systèmes complexes dans des solutions SOC rationalisées et efficaces.Ces solutions servent plusieurs industries, notamment l'automobile et les télécommunications.

L'entreprise met en évidence un accent stratégique sur l'élaboration de solutions spécifiques à l'industrie, reflétant une forte conscience des exigences et obstacles distincts auxquels sont confrontés divers secteurs alors qu'ils naviguent rapidement sur les terrains technologiques changeants.Leur poursuite incessante de l'innovation et de l'engagement envers la durabilité trouvent l'expression dans le développement continu de nouvelles solutions.Ces efforts sont consacrés à la production de technologies plus économes et résilientes, soulignant la valeur de l'adaptabilité dans la conservation d'un avantage concurrentiel.

Fiche technique PDF

IRF530

Irf530.pdf

IRF530PBF DataSheets:

Irf530.pdf