Le 1N5822 est une diode Schottky réputée pour sa chute de tension vers l'avant exceptionnellement faible, ce qui en fait un choix favorable pour les applications qui nécessitent une commutation rapide à des niveaux de courant réduits.Cela offre un avantage dans les alimentations en mode commutateur et les convertisseurs DC à DC à haute fréquence, où l'efficacité peut avoir un impact sur les performances globales du système.Enveloppé dans un ensemble DO-2010ad, cette diode est fréquemment utilisée dans les opérations à basse tension et à haute fréquence, y compris des utilisations telles que les onduleurs à basse tension, les applications en roue libre, la protection de la polarité et les chargeurs de batterie élégants.Sa capacité de transition des états assure facilement une perte d'énergie minimisée, améliorant ainsi l'efficacité des systèmes en s'appuyant sur elle.
Dans les applications pratiques, la conception du 1N5822 excelle dans sa capacité à gérer la dissipation thermique, qui est souvent un défi dans les systèmes compacts qui exigent une efficacité élevée.Cette construction lui permet de fonctionner de manière fiable à travers des conditions variées, ce qui en fait un choix préféré pour les prototypes qui nécessitent des performances régulières dans des environnements changeants.La faible tension avant de la diode est déterminante dans la préservation de la puissance, ce qui est principalement bénéfique pour maintenir l'énergie dans les dispositifs électroniques portables.
D'un point de vue analytique, alors que le 1N5822 brille dans des scénarios basse tension, il est basique pour garantir que l'ensemble des circuits exploitent les avantages de sa chute de tension à faible aval.L'alignement réfléchi des attributs de la diode avec les autres composants du système peut augmenter considérablement les performances et la durabilité de l'appareil.L'exploration plus approfondie de l'efficacité de conception peut révéler d'autres stratégies pour exploiter pleinement le potentiel de ce composant dans les applications de pointe.
Nom d'épingle |
Description |
Anode |
Le courant entre toujours via l'anode |
Cathode |
Le courant sort toujours par cathode |
Fonctionnalité |
Description |
Très petites pertes de conduction |
Réduit la perte d'énergie pendant la conduction |
Pertes de commutation négligeables |
Minimise les pertes pendant la commutation |
Commutation extrêmement rapide |
Permet des transitions rapides |
Baisse de tension vers l'avant |
Fournit une perte de puissance inférieure |
Capacité d'avalanche spécifiée |
Résiste aux conditions de haute tension |
Anneau de garde pour la protection contre la surtension |
Protège contre les dégâts de surtension |
Capacité de surtension élevée |
Gère les surtensions à courant élevé |
Opération haute fréquence |
Convient pour les applications à haute fréquence |
Solder Dip 275 ° C Max.10 s, par JESD 22-B106 |
Assure la durabilité des processus de soudage |
Taper |
Paramètre |
Délai d'usine |
6 semaines |
Monter |
Par le trou |
Type de montage |
Par le trou |
Package / étui |
DO-201D, axial |
Nombre d'épingles |
2 |
Poids |
4.535924G |
Matériau de l'élément de diode |
SILICIUM |
Nombre d'éléments |
1 |
Conditionnement |
Tape & Box (TB) |
Code JESD-609 |
E3 |
Statut de partie |
Actif |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (illimité) |
Nombre de terminaisons |
2 |
Code ECCN |
EAR99 |
Finition terminale |
Étain mat (sn) - recuit |
Température de fonctionnement maximale |
150 ° C |
Température de fonctionnement min |
-65 ° C |
Applications |
POUVOIR |
Fonctionnalité supplémentaire
|
Diode de roue libre |
Code HTS |
8541.10.00.80 |
Capacitance |
190pf |
Tension - DC classée |
40V |
Forme terminale |
FIL |
Note actuelle |
3A |
Numéro de pièce de base |
1N58 |
Comptage des broches |
2 |
Polarité |
Standard |
Configuration des éléments |
Célibataire |
Vitesse |
Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (IO) |
Type de diode |
Schottky |
Courant - fuite inversée @ VR |
2MA @ 40V |
Courant de sortie |
3A |
Tension - en avant (vf) (max) @ si |
525 mv @ 3a |
Connexion |
ISOLÉ |
Courant vers l'avant |
3A |
Courant de fuite inverse maximum |
2MA |
Température de fonctionnement - jonction |
150 ° C max |
Courant de surtension maximale |
80A |
Tension vers l'avant |
525 mV |
Tension inverse maximale (DC) |
40V |
Courant rectifié moyen |
3A |
Nombre de phases |
1 |
Courant inversé maximal |
2MA |
Tension inverse répétitive maximale (VRRM) |
40V |
Courant de surtension non apétitif maximal |
80A |
Courant de surtension maximale (IFSM) |
80A |
Température de jonction maximale (TJ) |
150 ° C |
Hauteur |
5,3 mm |
Longueur |
9,5 mm |
Largeur |
5,3 mm |
Atteindre SVHC |
Pas de SVHC |
Durcissement des rayonnements |
Non |
Statut ROHS |
ROHS3 conforme |
Avance libre |
Avance libre |
Numéro de pièce |
Description |
Fabricant |
Diodes SR304HA0 |
Diode redresseur |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited |
Diodes SR304HB0 |
Diode redresseur |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited |
Diodes SR340 |
Diode redresseur |
Changzhou Starsea Electronics Co Ltd |
Diodes SR304A0 |
3A, 40V, Silicon, Diode de redresseur, DO-201DAD, ROHS
Emballage en plastique conforme-2 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited |
Diodes SR304HX0 |
Diode redresseur |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited |
1N5822_R2_00001 |
Diode de redresseur, Schottky, 1 phase, 1 élément, 3A, 40V
(VRRM), Silicon, DO-201DAD |
Semi-conducteur panjit |
1N5822_AY_00001 |
Diode de redresseur, Schottky, 1 phase, 1 élément, 3A, 40V
(VRRM), Silicon, DO-201DAD |
Semi-conducteur panjit |
Diodes SR304X0G |
Diode de redresseur, Schottky, 1 phase, 1 élément, 3A, 40V
(VRRM), Silicon, DO-201DA, vert, Plastic Package-2 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited |
1N5822_AY_10001 |
Diode de redresseur, Schottky, 1 phase, 1 élément, 3A, 40V
(VRRM), Silicon, DO-201DAD |
Semi-conducteur panjit |
1N5822-T3 |
Diode de redresseur, Schottky, 1 phase, 1 élément, 3A, 40V
(VRRM), Silicon, DO-201DAD, Plastic Package-2 |
Microélectronique SangDest (Nanjing) Co Ltd |
Dans les cadres électroniques contemporains, la diode 1N5822 Schottky joue des rôles dynamiques en raison de ses caractéristiques telles que une baisse de tension avant et des capacités de commutation rapide, façonnant son aptitude aux tâches à basse tension et à économie d'énergie.Ces caractéristiques contribuent de manière significative aux applications impliquant des circuits de rectification de puissance, de serrage de tension et de protection en minimisant la perte de puissance et la production de chaleur.La gestion des densités de courant élevées avec une perte d'énergie minimale peut considérablement influencer les performances du circuit, ce qui provoque des considérations attentives dans les approches de conception.
Le circuit suivant illustre la biais directe de la diode 1N5822 pour activer une LED alimentée par une batterie de 3,7 V, présentant son efficacité dans les scénarios basse tension.Les diodes Schottky sont privilégiées pour maintenir les niveaux de tension d'entrée et réduire la dissipation d'énergie à travers la diode, favorisant ainsi une durée de vie de la batterie plus longue et des performances LED optimales.Des facteurs d'adoption tels que la gestion thermique et les conditions de charge sont utilisés lors de l'utilisation de diodes Schottky.La dissipation de chaleur adéquate est gérable à travers des dissipateurs de chaleur appropriés ou des coussinets thermiques.La sélection d'une diode avec une note de courant qui correspond aux demandes du circuit permet d'éviter les pannes prématurées et augmente la fiabilité.L'incorporation de ces stratégies élève la résilience du circuit et prolonge la durabilité des composants.
La maximisation des avantages du 1N5822 nécessite une intégration de circuit réfléchi avec précision.Situant la diode près de l'alimentation réduit les pertes de ligne, améliorant l'efficacité du circuit.La configuration des mécanismes de rétroaction pour adapter les conditions de biais de fluidité peut optimiser les performances dans divers scénarios opérationnels.Les diodes Schottky sont déterminantes dans les systèmes exigeant une commutation rapide et une faible tension vers l'avant, tels que les alimentations en mode commutateur (SMP) et les applications à haute fréquence, en raison de leur maîtrise de la limitation des pertes de commutation.
Les onduleurs fonctionnant à basse tension et à haute fréquence dépendent fortement de composants efficaces pour réduire les pertes de puissance.La diode 1N5822 se démarque en raison de sa baisse de tension avant et de ses caractéristiques de récupération rapide.Ces caractéristiques peuvent améliorer considérablement l'efficacité énergétique et la fiabilité, principalement précieuses dans les dispositifs électroniques portables où la conservation de l'énergie est une priorité.
Les circuits en roue libre visent à offrir un chemin de courant alternatif lorsque l'interrupteur principal est ouvert.La diode 1N5822 excelle ici, aidant à atténuer les pertes d'énergie et à supprimer les pointes de tension, assurant ainsi la stabilité du circuit.Vous pouvez constater que l'utilisation du 1N5822 offre une meilleure protection contre les tensions transitoires et prolonge la durée de vie de votre équipement tout en produisant des éoliennes et d'autres systèmes d'énergie renouvelable.
Les convertisseurs DC / DC gagnent considérablement par rapport aux capacités de commutation rapide du 1N5822 et à une faible dissipation de puissance.L'intégration de cette diode entraîne une efficacité plus élevée et une amélioration de la régulation de tension.Vous pouvez noter que ses performances robustes contribuent à minimiser l'accumulation de chaleur - une caractéristique nécessaire dans les cartes de circuits imprimées densément les appareils électroniques contemporains.
Dans le monde de la détection des signaux, des diodes comme le 1N5822 sont appréciées pour leurs caractéristiques réactives, améliorant la précision de détection des signaux faibles dans les circuits RF.Cela améliore la communication numérique en permettant une réception de signal plus fiable même avec des forces fluctuantes.
La protection de la polarité garantit l'équipement électronique des connexions accidentelles de polarité inverse.La diode 1N5822 offre une solution simple et efficace, conduisant à une diminution notable des taux de défaillance des composants.Ces résultats soulignent sa valeur dans la création de conceptions de circuits robustes.
Les applications RF exigent une interférence de bruit réduite et une clarté accrue du signal.La diode 1N5822 prend en charge ces exigences en minimisant la distorsion du signal.Vous pouvez apprécier que l'incorporation de cette diode entraîne des performances améliorées dans les systèmes audio et de communication à haute fidélité, où une gestion précise du signal est utilisée.
Les circuits logiques nécessitant des composants de changement rapide bénéficient des temps de commutation rapides du 1N5822.En utilisant cette diode, les circuits atteignent des temps de réponse plus rapides, dangereux dans l'informatique à grande vitesse et le traitement des données.Les leaders de l'industrie suggèrent que l'intégration du 1N5822 peut améliorer la vitesse et l'efficacité globales des systèmes informatiques.
Les alimentations en mode commuté (SMP) nécessitent une efficacité et une fiabilité élevées.La diode 1N5822 réduit considérablement la perte d'énergie pendant le fonctionnement et améliore les performances thermiques, actives pour la longévité des composants d'alimentation.Vous pouvez considérer la diode comme instrumentale dans l'augmentation de l'efficacité énergétique SMPS, solidifiant son rôle dans les solutions de gestion de l'énergie modernes.
Inconvénient du package 1N5822
1N5822 Données mécaniques
Réf. |
DIMENSIONS |
Notes |
|||
Millimètres |
Pouces |
||||
Min. |
Max. |
Min. |
Max. |
1. Le plomb diamètre ▲ D n'est pas contrôlé sur la zone E. 2. La longueur axiale minimale dans laquelle le Le dispositif peut être placé avec ses fils pliés à angle droit est de 0,59 "(15 mm) |
|
UN |
9.50 |
0,374 |
|||
B |
25.40 |
1000 |
|||
▲ c |
5.30 |
0,209 |
|||
▲ D |
1.30 |
0,051 |
|||
E |
1.25 |
0,049 |
Stmicroelectronics s'est positionné comme un acteur de premier plan sur le stade mondial des semi-conducteurs.L'entreprise est connue pour sa capacité exceptionnelle à créer des solutions avancées en silicium et système.En propulsant les progrès de la technologie du système sur puce (SOC), ils ont apporté des contributions notables à l'évolution de l'électronique moderne.
Grâce à son dévouement à la recherche et au développement, la stmicroélectronique a raffiné des conceptions pour le système sur puce en intégrant divers composants fonctionnels dans une seule puce.Cette innovation offre non seulement une efficacité améliorée et une réduction des coûts, mais a également un impact sur un large éventail de produits, couvrant l'électronique grand public et les systèmes automobiles.Les prouesses qu'ils affichent dans ce domaine indiquent leur dévouement à repousser les frontières technologiques et l'ingéniosité.
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La diode Schottky 1N5822 est notée pour sa baisse de tension avant approximative de 0,525 V, contribuant à ses prouesses dans les circuits biaisés en avant en permettant un débit d'électricité efficace.Cette diode brille dans des paramètres de commutation rapide nécessitant des courants inférieurs, tels que des circuits de puissance à haute fréquence.Dans le monde des normes de l'industrie, la diode est souvent choisie pour les rôles exigeant une perte de puissance minimisée et une réponse rapide aux fluctuations électriques.Les applications réelles mettent en évidence son aperçu de la conservation de l'énergie lors des changements de circuit, améliorant son attrait dans la conception des systèmes électriques contemporains.
Généralement, les diodes Schottky sont conçues avec un coussin thermique sur la cathode plutôt que sur l'anode.Ce choix est informé par la façon dont ces diodes réagissent à la contrainte thermique, ce qui peut entraîner des conditions thermiques inégales.La pratique standard consiste à sécuriser un dissipateur de chaleur à la cathode pour assurer une dissipation de chaleur efficace.Les expériences du domaine révèlent que cette configuration stabilise le fonctionnement des diodes et prolonge sa durée de vie grâce à une gestion de la chaleur compétente.
Le remplacement d'une diode Schottky 1N5819 par un 1N5822 dépend de leur tension avant partagée (VF) et de leur résistance thermique à la jonction à ambiance (RTH-JA).Cependant, le courant de fuite plus élevé du 1N5822 peut influencer certaines utilisations, en particulier dans les environnements sensibles aux fuites, tels que les circuits de puissance ou de puissance.En ce qui concerne des contextes tels que les alimentations en mode commutateur (SMPS) ou la protection de la polarité inverse, les échanger conviennent pour la plupart.Néanmoins, il faut considérer les dimensions physiques;L'empreinte plus grande du 1N5822 est plus de 1,5 mm de diamètre, nécessitant des logements de montage appropriés.Cette compréhension pratique met en évidence la nécessité d'aligner les paramètres mécaniques et électriques pour le remplacement des composants transparents.
sur 2024/11/5
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