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Diode 1N5711 Schottky: alternatives, fonctionnalités et fiche technique

La diode Schottky 1N5711 se distingue par sa capacité à basculer à des vitesses remarquables, associées à une chute de tension vers l'avant notamment basse.Cet article plonge dans les caractéristiques et les applications du 1N5711, mettant en évidence sa grande contribution aux progrès technologiques respectueux de l'environnement.Grâce à une exploration de ses attributs et de ses implémentations pratiques, nous visons à présenter une compréhension complète de son impact sur la conception et les performances de l'électronique moderne.

Catalogue

Aperçu du 1N5711

Le 1N5711 La diode mélange de manière complexe du métal et du silicium, ce qui lui permet de réaliser non seulement une tension de dégradation élevée remarquable, mais aussi des capacités de commutation remarquablement rapides.Son application efficace dans les tâches de détection et d'impulsion UHF / VHF est due à sa gamme opérationnelle étendue.Le package DO-35 de la diode offre une fiabilité avec un seuil de courant vers l'avant de 15 mA jumelé avec une tension vers l'avant de 0,41 V.Avec sa compatibilité avec les méthodologies de plomb standard, il y a une facilité dans son utilisation pour les processus de montage à travers, ajoutant à son attrait fonctionnel et contribuant à un sentiment de satisfaction de l'ingénierie.

Configuration de la broche 1N5711

Symbole 1N5711 et modèle CAO

Caractéristiques du 1N5711

Couche de protection fortifiée

La diode 1N5711 comprend une couche de protection fortifiée qui améliore sa capacité à résister à des surtensions de tension soudaine.Cette couche réduit le risque de dommages causés par des pics de tension brusques, offrant à la diode une durée de vie opérationnelle plus longue.Une telle conception des défauts électroniques précédents dus à une protection contre la surtension insuffisante, ce qui a souvent entraîné des temps d'arrêt et des réparations coûteux.

Tension d'activation exceptionnellement faible

Ce qui distingue vraiment le 1N5711, c'est sa tension d'activation remarquablement faible.Cette fonction permet à la diode d'initier le flux de courant avec une tension minimale, se prêtant bien aux conceptions de circuits économes en énergie.Dans l'électronique contemporaine où la conservation de l'énergie est souvent à l'avant-garde, cette propriété contribue à réduire les dépenses opérationnelles et à prolonger la durée de vie de la batterie en minimisant les pertes de puissance lors des conversions de tension.

Vitesse de commutation ultra-rapide

La vitesse de commutation de niveau picoseconde ultra-détresse de la diode est une caractéristique définitive.Cette commutation rapide permet des transitions immédiates, qui sont bonnes dans les applications à haute fréquence, notamment les circuits RF et micro-ondes.En minimisant la latence, il améliore la vitesse et les performances des appareils électroniques.Cette fonctionnalité témoigne des améliorations continues de la technologie des semi-conducteurs, faisant écho à la progression de l'industrie vers des composants plus agiles et réactifs.

Spécifications 1N5711

Taper	Paramètre
Délai d'usine	15 semaines
Monter	Par le trou
Nombre d'épingles	2
Matériau de l'élément de diode	SILICIUM
Nombre d'éléments	1
Conditionnement	Ruban adhésif (TR)
Statut de partie	Actif
Nombre de terminaisons	2
Code ECCN	EAR99
Code HTS	8541.40.00.70
Tension - DC classée	70V
Note actuelle	15m
Comptage des broches	2
Placage de contact	Étain
Package / étui	DO-204AH, DO-35, Axial
Poids	4.535924G
Tension de panne / V	70V
Température de fonctionnement	-65 ° C ~ 200 ° C TJ
Code JESD-609	E3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (illimité)
Terminaison	Axial
Fonctionnalité supplémentaire	Commutation rapide
Capacitance	2pf
Forme terminale	FIL
Numéro de pièce de base	1N57
Polarité	Standard
Type de diode	Schottky - célibataire
Courant de sortie	15m
Courant vers l'avant	15m
Tension vers l'avant	1v
Courant inversé maximal	200na
Capacité @ vr, f	2pf @ 0v 1mhz
Diamètre extérieur	1,93 mm
Tension inverse (DC)	70V
Hauteur	2 mm
Largeur	2 mm
Durcissement des rayonnements	Non
Avance libre	Avance libre
Dissipation de puissance	430mw
Connexion	ISOLÉ
Courant de fuite inverse maximum	200na
Temps de récupération inversé	100 PS
Tension inverse répétitive maximale (VRRM)	70V
Tension inversée	70V
Température de jonction maximale (TJ)	200 ° C
Diamètre	2 mm
Longueur	4,5 mm
Atteindre SVHC	Pas de SVHC
Statut ROHS	ROHS3 conforme

Diagramme de bloc fonctionnel de 1N5711

Applications de la diode 1N5711

Détection du signal UHF / VHF

La diode 1N5711 devient utilisée dans la détection du signal UHF / VHF, principalement en raison de ses capacités de commutation rapide et de sa faible capacité.Ces fonctionnalités aident à affiner et à améliorer la réception des signaux, reflétant le désir profond de télécommunications plus claires.En réduisant la distorsion du signal, la diode offre des performances améliorées dans les systèmes de communication, faisant écho à une compréhension partagée dans les industries où la clarté sur de longues distances émerge fréquemment comme un point focal.

Manipulation d'impulsions avec une vaste gamme dynamique

Dans les applications d'impulsions, la compétence de la diode dans la gestion d'une large plage dynamique est un atout distinct.Sa réponse rapide et son adaptabilité à l'évolution des intensités du signal permettent une manipulation fluide des opérations électroniques complexes.Les leçons tirées des champs de conception de circuits analogiques et numériques mettent en lumière l'utilité polyvalente de la diode, illuminant sa gestion de la gamme dynamique comme voie pour atteindre la précision et la stabilité opérationnelles.

Sécurité des appareils MOS

Les diodes 1N5711 protègent avec compétence les dispositifs MOS sensibles à partir de dommages dus aux pointes de tension, une facette complexe de sa conception.Swift Recovery Time garantit un serrage rapide des transitoires, fournissant une barrière digne de confiance contre les menaces de surtension.Cette caractéristique est pertinente dans l'électronique de puissance, où la mise en œuvre stratégique des mesures de protection devient presque un rituel de précision.

Commutation agile dans des circuits de niveau logique bas

La capacité de la diode pour une commutation efficace dans les circuits à faible niveau logique en fait un choix optimal pour freiner la perte de puissance et augmenter l'efficacité du circuit.Dans l'électronique grand public, bénéficiez de sa capacité à maintenir l'intégrité tout en réduisant la consommation d'énergie, suscitant des innovations dans les conceptions de périphériques portables.

Applications multiformes de la diode 1N5711

L'examen des applications variées de la diode 1N5711 dévoile son rôle dans l'électronique contemporaine.Son recours réussi des défis complexes dans diverses applications met en évidence les demandes uniques de sélection et d'intégration des composants.Ce récit signifie l'échange continu entre les concepts théoriques et la mise en œuvre pratique, guidant les progrès de l'ingénierie électronique.

1N5711 Équivalents et alternatives

Partie	Fabricants	Catégorie	Description
Jantx1n5711-1	Microsemi	Diodes de télévision	Jantx Series 70V 33MA à travers Hole Schottky Diode - DO-35
Jantxv1n5711-1	Microsemi	Diodes	Diode Schottky 70V 0,033a 2pin DO-35
NTE583	Electronique NTE	Diodes Schottky	NTE Electronics NTE583 RF Schottky Diode, simple, 70V, 15mA, 1V, 2PF, DO-35
UF1001-T	Diodes incorporées		À travers le trou DO-204AL, DO-41, axial 1 V 50 V 50 NS NON Plain unique gratuit
1N4001G-T	Diodes incorporées		À travers le trou DO-204AL, DO-41, axial 1 V 50 V 2 μs non Plain unique gratuit
1N5400-T	Diodes incorporées		À travers le trou do-201ad, axial 1 V 50 V - pas de plomb unique Gratuit

Dimensions de 1N5711

Informations sur le fabricant 1N5711

La stmicroélectronique se distingue dans les innovations de semi-conducteurs de pointe, façonnant la progression des appareils électroniques d'aujourd'hui.Cette analyse se concentre sur la façon dont cette entreprise améliore la connectivité et l'efficacité au sein de diverses industries, tout en révélant des impacts plus larges dans la sphère technologique.Une observation importante survient lorsque l'on considère une vaste gamme d'offres de Stmicroelectronics: le mélange d'innovation et d'application souligne leur leadership dans l'industrie.Le maintien de cet équilibre améliore leur capacité à fournir des solutions transformatrices, encourageant d'autres acteurs de l'écosystème à s'adapter et à innover ensemble.Cette approche stratégique leur donne non seulement un avantage concurrentiel mais nourrit également la croissance collaborative, favorisant une transition transparente vers des environnements technologiques futurs.

Fiche technique PDF

1N5711

Porte-batterie cylindrique.pdf